[实用新型]半导体发光器件有效

专利信息
申请号: 202020612786.3 申请日: 2020-04-22
公开(公告)号: CN212113750U 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 李刚 申请(专利权)人: 深圳大道半导体有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/62
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 林俭良;王少虹
地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 器件
【权利要求书】:

1.一种半导体发光器件,其特征在于,包括金属基板以及设置在所述金属基板至少一表面上的半导体发光芯片;所述半导体发光芯片包括衬底、设置在所述衬底上的半导体发光叠层、设置在所述半导体发光叠层上的导热焊盘、第一焊盘和第二焊盘;所述金属基板的表面上对应所述半导体发光芯片设有第一焊垫和第二焊垫;所述第一焊盘和第二焊盘分别与所述第一焊垫和第二焊垫导电连接;所述导热焊盘与所述金属基板导热连接。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其特征在于,所述半导体发光器件还包括绝缘层;所述绝缘层设置在所述金属基板上并围绕所述半导体发光芯片。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件,其特征在于,所述半导体发光器件还包括透光层;所述透光层设置在所述半导体发光芯片上。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其特征在于,所述绝缘层与所述半导体发光芯片的侧面之间留有间隔,所述透光层还填充到所述间隔中。

5.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其特征在于,所述绝缘层与所述半导体发光芯片的侧面相接;

所述透光层还延伸至所述绝缘层的表面上;或者,所述绝缘层的侧面高出所述半导体发光芯片的侧面,所述透光层还与所述绝缘层的侧面相接。

6.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其特征在于,所述透光层与所述金属基板片之间的部分或全部界面设有吸光层或反光层。

7.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其特征在于,所述透光层为透光薄片。

8.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其特征在于,所述半导体发光器件还包括围绕所述透光层的遮光层;所述遮光层的底面位于所述绝缘层和/或所述透光层上。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体发光器件,其特征在于,所述半导体发光器件还包括设置在所述金属基板上的绝缘树脂层;所述第一焊垫和第二焊垫设置在所述绝缘树脂层上,与所述金属基板相绝缘。

10.根据权利要求1-8任一项所述的半导体发光器件,其特征在于,所述金属基板的表面上设有凸台,所述凸台与所述导热焊盘正对并导热连接;

所述凸台的外侧相对所述凸台形成槽部,所述第一焊垫和第二焊垫位于所述槽部内,分别与所述第一焊盘和第二焊盘正对并导电连接。

11.根据权利要求1-8任一项所述的半导体发光器件,其特征在于,所述半导体发光器件还包括连接所述第一焊盘和第一焊垫的第一连接层、连接所述第二焊盘和第二焊垫的第二连接层、连接所述导热焊盘和金属基板的第三连接层。

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