[实用新型]一种化学气相沉积设备

说明书

本实用新型实施例公开了一种化学气相沉积设备，包括工艺腔室和封闭装置，其中，工艺腔室包括：容纳空间和样品入口；封闭装置用于封闭或打开样品入口，封闭装置封闭样品入口时，封闭装置靠近容纳空间的表面与工艺腔室开设有样品入口的第一侧壁的内侧共面。本实用新型实施例的技术方案可以避免等离子体在封闭装置处囤积的情况发生，进而使得工艺腔室内各处的等离子体的浓度相同，样品各处沉积的膜层厚度均匀一致。

技术领域

本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)Process Chamber(化学气相沉积法处理腔，以下简称PC)在玻璃基板上沉积氮化硅和多晶硅等薄膜时，在玻璃基板上沉积获得的薄膜的不同区域厚度差异较大，薄膜晶体管器件电性差异过大，例如薄膜晶体管器件的阈值电压Vth，造成显示器不同区域的性能出现差异，造成显示器的品质下降。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种化学气相沉积设备，以提高沉积膜层厚度的均匀性。

本实用新型实施例提供了一种化学气相沉积设备，包括：

工艺腔室，包括：容纳空间和样品入口；

封闭装置，用于封闭或打开样品入口，封闭装置封闭样品入口时，封闭装置靠近容纳空间的表面与工艺腔室开设有样品入口的第一侧壁的内侧共面。

进一步地，封闭装置包括：第一平板和第一滑轨，第一平板与第一滑轨滑动连接，第一滑轨的延伸方向与第一侧壁平行，第一平板平行于第一侧壁；

第一平板沿第一滑轨滑动至样品入口时，第一平板远离第一滑轨的一侧与第一侧壁的内侧共面。

进一步地，工艺腔室的与第一侧壁相邻的第二侧壁设置有第一通孔，第一通孔的延伸方向平行于第一侧壁，第一滑轨从工艺腔室外穿进第一通孔，第一侧壁沿垂直于第二侧壁的方向的投影覆盖第一通孔；第一通孔靠近容纳空间的一侧与第一侧壁的内侧共面。

进一步地，第一平板的平行于第一侧壁的截面大于或等于样品入口的平行于第一侧壁的截面。

进一步地，封闭装置包括第二平板、第三平板、伸缩结构和第二滑轨，第二平板和第三平板相对，伸缩结构位于第二平板和第三平板之间，伸缩结构的两端分别与第二平板和第三平板连接，伸缩结构的伸缩方向平行于第一侧壁的厚度方向，第二滑轨的延伸方向与第一侧壁平行，第二平板平行于第一侧壁；

第三平板与第二滑轨滑动连接，第三平板沿第二滑轨滑动至样品入口时，伸缩结构拉伸，第二平板远离第二滑轨的一侧与第一侧壁的内侧共面。

进一步地，第一侧壁设置有第二通孔，第二通孔的延伸方向平行于第一侧壁，第二滑轨从工艺腔室外穿进第二通孔，第二通孔与样品入口连通；第二通孔靠近容纳空间的一侧相对于第一侧壁的内侧远离容纳空间。

进一步地，第二平板的平行于第一侧壁的截面与样品入口的平行于第一侧壁的截面相同，第三平板的平行于第一侧壁的截面大于样品入口的平行于第一侧壁的截面。

进一步地，伸缩结构包括波纹管，波纹管位于第二平板和第三平板之间，波纹管的两端分别与第二平板和第三平板连接，以形成密封腔体；

封闭装置还包括充放流体结构，与密封腔体连通，用于向密封腔体充入流体或使密封腔体排出流体。

进一步地，流体包括气体，充放流体结构包括气缸和空气干燥压缩机，空气干燥压缩机用于驱动气缸向密封腔体充气或使密封腔体排气。

进一步地，化学气相沉积设备包括：等离子体增强型化学气相沉积设备。