[发明专利]桥链型图形化蓝宝石衬底、制备方法及LED外延片

权利要求书

1.一种桥链型图形化蓝宝石衬底，其特征在于，包括：

蓝宝石基底；

多个微结构，所述多个微结构位于所述蓝宝石基底上，相邻的两个所述微结构至少底部通过脊状的桥链结构连接。

2.根据权利要求1所述的桥链型图形化蓝宝石衬底，其特征在于，由一个所述微结构到另一所述微结构的方向上，连接该两个所述微结构的所述桥链结构的宽度不变或者由大变小再变大。

3.根据权利要求2所述的桥链型图形化蓝宝石衬底，其特征在于，所述桥链结构的宽度为50～1000nm。

4.根据权利要求1所述的桥链型图形化蓝宝石衬底，其特征在于，由一个所述微结构到另一所述微结构的方向上，连接该两个所述微结构的所述桥链结构的高度不变或者由大变小再变大。

5.根据权利要求1所述的桥链型图形化蓝宝石衬底，其特征在于，所述微结构的形状包括圆锥型、圆柱型、圆台型、多棱锥型、多棱柱型、多棱台型中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的桥链型图形化蓝宝石衬底，其特征在于，所述微结构的在所述蓝宝石基底上的投影图形的尺寸为0.5～5μm。

7.一种LED外延片，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的桥链型图形化蓝宝石衬底，还包括位于所述桥链型图形化蓝宝石衬底上的外延层。

8.一种桥链型图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，包括：

提供一掩膜版和一蓝宝石基底；

在所述蓝宝石基底上形成光刻胶层；

以所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶掩膜；

通过所述光刻胶掩膜对所述蓝宝石基底进行刻蚀，以形成多个微结构；其中，相邻的两个所述微结构至少底部通过脊状的桥链结构连接。

9.根据权利要求8所述的桥链型图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述掩膜版包括多个第一掩膜图形，相邻的两个所述第一掩膜图形之间通过第二掩膜图形连接，所述第二掩膜图形呈条形；

由一个所述第一掩膜图形到另一个所述第一掩模图形的方向上，所述第二掩膜图形的宽度不变或者由大变小再变大。

10.根据权利要求8所述的桥链型图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述掩膜版包括多个第一掩膜图形，相邻的两个所述第一掩膜图形均连接有一个第三掩膜图形，且该两个所述第三掩膜图形均沿该两个所述第一掩膜图形的连线延伸，且该两个所述第一掩膜图形和两个所述第三掩模图形呈轴对称图形。

11.根据权利要求8所述的桥链型图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜包括多个第四掩膜图形，相邻的两个所述第四掩膜图形之间通过第五掩膜图形连接，所述第五掩膜图形呈条形；

由一个所述第四掩膜图形到另一个所述第四掩模图形的方向上，所述第五掩膜图形的宽度不变或者由大变小再变大。

12.根据权利要求8所述的桥链型图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜包括多个第四掩膜图形，相邻的两个所述第四掩膜图形均连接有一个第六掩膜图形，且该两个所述第六掩膜图形均沿该两个所述第四掩膜图形的连线延伸，且该两个所述第四掩膜图形和两个所述第六掩模图形呈轴对称图形。

13.根据权利要求8所述的桥链型图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，所述掩膜版包括多个相互独立的第七掩膜图形；

通过所述光刻胶掩膜对所述蓝宝石基底进行刻蚀，以形成多个微结构，包括：

调节刻蚀工艺参数，通过多个相互独立的所述第七掩膜图形对所述蓝宝石基底进行刻蚀，在所述蓝宝石基底上形成多个原始微结构，所述原始微结构的底部相互连接；

改变刻蚀工艺参数，通过所述光刻胶掩膜对所述多个原始微结构进行修饰，以形成所述微结构，且所述原始微结构相连接的位置形成脊状的所述桥链结构。