[发明专利]LED外延结构、其制作方法、发光器件和显示面板

权利要求书

1.一种LED外延结构，其特征在于，从下至上包括依次设置的衬底、N型限制层、有源层和P型限制层；

其中，所述有源层包括交替设置的量子阱层和量子垒层，部分所述量子垒层为第一量子垒层，部分所述量子垒层为第二量子垒层，所述第二量子垒层位于两个所述第一量子垒层之间，且任一所述第二量子垒层的厚度大于任一所述第一量子垒层的厚度。

2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，相邻的一个所述量子阱层和一个所述量子垒层形成一个阱垒周期，所述有源层包括M个所述阱垒周期，所述第二量子垒层位于第M/3个所述阱垒周期到第2M/3个所述阱垒周期之间，其中，M为大于等于15的正整数。

3.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构还包括：

间隔层，设于所述N型限制层与所述有源层之间和/或设于所述有源层与所述P型限制层之间。

4.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构还包括：

分布式布拉格反射复合结构，包括周期性交叠设置的第一反射率层和第二反射率层；其中，所述第一反射率层的反射率小于所述第二反射率层的反射率。

5.如权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，所述分布式布拉格反射复合结构按其生长方向包括至少一级复合子结构；其中，每级所述复合子结构包括若干对周期性交叠生长的第一反射率层和第二反射率层。

6.如权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，所述分布式布拉格反射复合结构按其生长方向包括第一复合子结构、第二复合子结构和第三复合子结构，所述第一复合子结构、所述第二复合子结构和所述第三复合子结构的反射波长逐级递减。

7.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一复合子结构中第一反射率层和第二反射率层的交叠周期数小于所述第二复合子结构中第一反射率层和第二反射率层的交叠周期数，所述第二复合子结构中第一反射率层和第二反射率层的交叠周期数小于所述第三复合子结构中第一反射率层和第二反射率层的交叠周期数。

8.一种LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上设置N型限制层；

在所述N型限制层的裸露表面上交替设置量子阱层和量子垒层，形成有源层；其中，部分所述量子垒层为第一量子垒层，部分所述量子垒层为第二量子垒层，所述第二量子垒层位于两个所述第一量子垒层之间，且任一所述第二量子垒层的厚度大于任一所述第一量子垒层的厚度；

在所述有源层的裸露表面上设置P型限制层。

9.如权利要求8所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述有源层的形成步骤，包括：

于所述N型限制层上周期性生长所述量子阱层和所述第一量子垒层，形成N个阱垒周期，一个所述阱垒周期包括相邻的一个所述量子阱层和一个所述第一量子垒层，其中，N为小于M/3的整数，M为大于等于15的正整数；

在N个所述阱垒周期上交替生长所述量子阱层和所述量子垒层，形成N个所述阱垒周期，其中，至少一个所述阱垒周期包括所述第二量子垒层；

在2N个所述阱垒周期上交替生长所述量子阱层和所述第一量子垒层，形成(M-2N)个所述阱垒周期。

10.如权利要求9所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，

在设置所述N型限制层之后，在设置所述有源层之前，所述制作方法还包括：

降低生长所述N型限制层后的反应温度，并在该反应温度下生长第一间隔层；和/或

在设置所述有源层之后，在设置所述P型限制层之前，所述制作方法还包括：在所述有源层上生长第二间隔层，提高生长所述第二间隔层后的反应温度，并在该反应温度下生长所述P型限制层。