[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子功能层；其中，所述量子点发光层中含有活性材料，所述活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种。本申请通过在量子点发光层中引入活性材料，提高了量子点发光二极管的正老化效应。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是基于量子点(quantum dots，QDs)技术的电致发光器件，具有自发光、无需背光模组、视角宽、对比度高、全固化、适用于挠曲性面板、温度特性好、响应速度快和节能环保等一系列优异特性，已经成为新型显示技术的研究热点和重点发展方向。

QLED器件虽然借鉴和利用了有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件结构，但因其材料构成的差异，两者的老化现象和老化机理差异巨大。如QLED器件存在各种效率(电流、功率或外量子效率)随时间而衰减或提升的现象，即“负老化效应”和“正老化效应”。目前，老化效应的机理尚不明确，诸多研究总结指出，引起器件效率变化主要源于空穴功能层退化、界面电荷聚集、电子功能层表面缺陷态抑制或电荷迁移率改变等因素。此外，不同发光颜色量子点的材料本身与其他功能层材料匹配性差异同样会造成器件老化机理的不同，如红色QLED器件老化效应更多由有机空穴功能层的退化引起，而蓝色QLED器件老化效应则更多是因为量子点发光层与电子功能层的导带最大能级(conduction-band maximum，CBM)失配导致的电子在电子功能层聚集。

中国专利CN107148683提供了一种提升量子点二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构，其揭露：含有饱和/不饱和羧酸等活性材料的可固化树脂封装的QLED器件，其正老化效应显著，且对封装后器件加热处理能进一步提升效率和加速正向老化过程(正老化效应一般4～8天左右完成，效率趋于稳定)。该技术方案，是通过活性材料混入可固化封装树脂、QLED器件暴露于包含活性材料的周围环境或用包含活性材料的溶液清洗QLED堆叠层将活性材料引入QLED器件。专利图5的数据证明，绿色QLED器件正老化效应最为显著，效率提升～175％(效率提升比例为最大器件效率和第一天测试效率差值与第一天测试效率比值的百分数)，但蓝色和红色QLED器件的正老化效应表现为较小的程度，最高效率提升仅～20％。

发明内容

本申请的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决采用饱和/不饱和羧酸等活性材料封装器件时，对蓝色和红色QLED器件正老化效应不明显的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子功能层；其中，所述量子点发光层中含有活性材料，所述活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种。

第二方面，本申请提供两种量子点发光二极管的制备方法。

第一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供待制备量子点发光层的预制器件；

将所述预制器件置于含有气态活性材料的气氛环境中，在所述预制器件上制备量子点发光层；其中，所述气态活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种。

第二种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：