[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子功能层；其中，所述量子点发光层中含有活性材料，所述活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述活性材料占所述量子点发光层的总重量的0.0001％～1％；和/或

所述量子点发光层由量子点和所述活性材料组成，所述量子点选自为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种，优选地，所述量子点为CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnSe/ZnS中的一种或多种。

3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述活性材料选自丙烯酸、苯甲酸、甲基丙烯酸、3-丁烯酸、巴豆酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、三羟甲基丙三烯酸酯以及N-乙烯基吡咯烷酮中的至少一种。

4.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层。

5.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供待制备量子点发光层的预制器件；

将所述预制器件置于含有气态活性材料的气氛环境中，在所述预制器件上制备量子点发光层；其中，所述气态活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种。

6.如权利要求5所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述气氛环境为气态活性材料与氧气、氮气、氩气、二氧化碳中至少一种形成的混合气态环境，和/或

所述活性材料选自丙烯酸、苯甲酸、甲基丙烯酸、3-丁烯酸、巴豆酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、三羟甲基丙三烯酸酯以及N-乙烯基吡咯烷酮中的至少一种。

7.如权利要求5所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述气态活性材料占所述气氛环境中气体总体积的0.1％～50％；和/或

所述气态环境的温度为25～150℃，总压力为-0.1～4MPa。

8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

配置量子点和活性材料的混合溶液，其中，所述活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种；

提供待制备量子点发光层的预制器件，在所述预制器件上沉积所述混合溶液，制备量子点发光层。

9.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中，所述活性材料占所述量子点和所述活性材料的总重量的0.0001％～1％。

10.如权利要求8或9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述预制器件上沉积所述混合溶液的步骤之后，还包括：在温度不高于150℃的条件下干燥处理，制备所述量子点发光层，和/或

所述活性材料选自丙烯酸、苯甲酸、甲基丙烯酸、3-丁烯酸、巴豆酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、三羟甲基丙三烯酸酯以及N-乙烯基吡咯烷酮中的至少一种，

和/或

所述量子点选自为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种，优选地，所述量子点为CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnSe/ZnS中的一种或多种。