[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极结构，夹在第一间隔部件与第二间隔部件之间并与所述第一间隔部件和所述第二间隔部件接触，所述第一间隔部件的顶表面和所述第二间隔部件的顶表面在所述栅极结构的顶表面上方延伸；

栅极自对准接触(SAC)介电部件，位于所述第一间隔部件和所述第二间隔部件上方；

接触蚀刻停止层(CESL)，位于所述栅极SAC介电部件上方；

介电层，处于所述CESL上方；

栅极接触部件，延伸穿过所述介电层、所述CESL、所述栅极SAC介电部件，并且位于所述第一间隔部件与所述第二间隔部件之间以与所述栅极结构接触；以及

衬垫，设置在所述第一间隔部件与所述栅极接触部件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫的组分不同于所述栅极SAC介电部件的组分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述衬垫包括与所述第一间隔部件相邻的第一部分和与所述第二间隔部件相邻的部分，

其中，所述第一部分设置在所述第一间隔部件与所述栅极接触部件之间，并且所述第二部分通过所述栅极SAC介电部件的部分与所述栅极接触部件间隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述衬垫包括与所述第一间隔部件相邻的第一部分和与所述第二间隔部件相邻的部分，

其中，所述第一部分距所述栅极结构的高度不同于所述第二部分距所述栅极结构的高度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫包括氧化硅、硅化铪、氧碳化硅、氧化铝、硅化锆、氧氮化铝、氧化锆、二氧化铪、氧化铪锆、氧化钛、氧化锆铝、氧化锌、氧化钽、氧化镧、氧化钇、碳氮化钽、氮化硅、氧碳化硅、硅、氮化锆或碳氮化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

源极/漏极(S/D)接触件，与所述第二间隔部件相邻；以及

S/D自对准接触(SAC)介电部件，设置在所述S/D接触件上，

其中，所述衬垫的部分设置在所述栅极SAC介电部件与所述S/D SAC介电部件之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫的部分设置在所述第一间隔部件的顶表面和所述第二间隔部件的顶表面中的至少一个的上方。

8.一种半导体器件，包括：

第一栅极结构，夹在第一间隔部件与第二间隔部件之间并与所述第一间隔部件和所述第二间隔部件接触，所述第一间隔部件的顶表面和所述第二间隔部件的顶表面在所述第一栅极结构的顶表面上方延伸；

第二栅极结构，夹在第三间隔部件和第四间隔部件之间并与所述第三间隔部件和所述第四间隔部件接触，所述第三间隔部件的顶表面和所述第四间隔部件的顶表面在所述第二栅极结构的顶表面上方延伸；

第一栅极自对准接触(SAC)介电部件，位于所述第一间隔部件和所述第二间隔部件上方；

第二栅极SAC介电部件，位于所述第三间隔部件、所述第二栅极结构和所述第四间隔部件上方，

介电层，位于所述第一栅极SAC介电部件和所述第二栅极SAC介电部件上方；

栅极接触部件，延伸穿过所述介电层和所述第一栅极SAC介电部件，并且位于所述第一间隔部件与所述第二间隔部件之间以与所述第一栅极结构接触；以及

衬垫，设置在所述第一间隔部件与所述第一栅极SAC介电部件之间，并且设置在所述第三间隔部件与所述第四间隔部件之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述栅极接触部件与所述第一间隔部件接触和与所述第二间隔部件接触，

其中，所述衬垫不在所述栅极接触部件与所述第二间隔部件之间延伸。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

接收工件，包括：

栅极结构，设置在第一介电层中；

第一间隔部件，设置在所述栅极结构的第一侧壁与所述第一介电层之间；

第二间隔部件，设置在所述栅极结构的第二侧壁与所述第一介电层之间；

选择性地蚀刻所述栅极结构、所述第一间隔部件和所述第二间隔部件以形成接触件凹槽；

在所述工件上方沉积衬垫；

在所述工件上方沉积覆盖层；

移除所述衬垫的部分；

在所述第一介电层、所述衬垫和所述覆盖层上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)；

沉积第二介电层；

形成穿过所述第二介电层、所述CESL、所述覆盖层和所述衬垫的栅极接触件开口以暴露所述栅极结构；以及

在所述栅极接触件开口中沉积栅极接触件，

其中，所述覆盖层的组分不同于所述衬垫的组分。