[发明专利]平板探测器的制备方法

说明书

本发明提供一种平板探测器的制备方法，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离氧化物有源层，避免后续的光电二极管成膜过程对氧化物有源层造成损伤，避免氧化物有源层的性能劣化，提高平板探测器质量及性能；且光电二极管下方保留的金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极，有利于减小平板探测器的Lag值；本发明通过在光电二极管成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可减小寄生电容对平板探测器的影响；本发明通过在第二保护层成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可避免光电二极管以及第二保护层的成膜过程对氧化物有源层的影响。

技术领域

本发明属于平板探测器领域，涉及一种平板探测器的制备方法。

背景技术

数字化X射线摄影(Digital Radio Graphy，简称DR)，是上世纪90年代发展起来的X 射线摄影新技术，以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等显著优点，成 为数字化X射线摄影技术的主导方向，并得到世界各国的临床机构和影像学专家的认可。其 在医疗影像诊断成像、工业探伤、安检等领域的应用越来越广泛，在X射线辐射成像应用中， 一般要求平板探测器面积达43cm×43cm，X射线探测器TFT面板的设计对其功能的实现起了很大的作用。

平板探测器概括的说是一种采用半导体技术将X射线能量转换为电信号，产生X射线图 像的检测器。平板探测器由上百万乃至上千万个像素单元电路所组成，像素单元电路一般由 薄膜晶体管(TFT)和光电二极管(PD)所组成。传统的平板探测器主要为非晶硅平板探测器，其像素单元电路由a-Si TFT和a-Si PD所组成。

随着社会的发展，对TFT读取速率的要求越来越高，与传统的a-Si TFT相比较，由于非 晶氧化物(AOS)TFT具有较高的场效应迁移率(约为a-Si TFT迁移率的10倍以上)和较低的关态电流(fA级别)等优势，从而可应用于制备具有高帧率、低噪声等优势的动态平板探测器。

然而，在制备由AOS TFT和a-Si PD阵列所组成的平板探测器时，a-Si PD阵列成膜制程 会对AOS TFT产生不利影响，会导致AOS TFT的性能劣化，降低了产品良率。

因此，提供一种平板探测器的制备方法，实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种平板探测器的制备方法，用 于解决现有技术中在制备平板探测器时，a-Si PD阵列成膜制程对AOS TFT造成不利影响，使得AOS TFT的性能劣化的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种平板探测器的制备方法，包括以下步 骤：

提供衬底；

于所述衬底上形成栅极；

于所述衬底上形成覆盖所述衬底及栅极的栅极绝缘层；

于所述栅极绝缘层上形成氧化物有源层；

于所述氧化物有源层上形成刻蚀阻挡层；

形成第一金属层，并图形化所述第一金属层，以分别形成与所述氧化物有源层相接触的 漏极及源极；

形成第一保护层，并图形化所述第一保护层，以形成显露部分所述源极的光电二极管通 孔；

形成金属隔离层，所述金属隔离层覆盖所述第一保护层及所述光电二极管通孔的底部及 侧壁；

形成光电二极管及透明顶电极；

图形化所述光电二极管、透明顶电极及金属隔离层，以显露位于所述氧化物有源层上方 的所述第一保护层；

形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第一保护层、光电二极管及透明顶电极；

图形化所述第二保护层，形成显露所述透明顶电极的公共电极通孔；