[发明专利]平板探测器的制备方法

权利要求书

1.一种平板探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

于所述衬底上形成栅极；

于所述衬底上形成覆盖所述衬底及栅极的栅极绝缘层；

于所述栅极绝缘层上形成氧化物有源层；

于所述氧化物有源层上形成刻蚀阻挡层；

形成第一金属层，并图形化所述第一金属层，以分别形成与所述氧化物有源层相接触的漏极及源极；

形成第一保护层，并图形化所述第一保护层，以形成显露部分所述源极的光电二极管通孔；

形成金属隔离层，所述金属隔离层覆盖所述第一保护层及所述光电二极管通孔的底部及侧壁；

形成光电二极管及透明顶电极；

图形化所述光电二极管及透明顶电极，以显露位于所述氧化物有源层上方的所述金属隔离层；

形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述金属隔离层、光电二极管及透明顶电极；

图形化所述第二保护层，形成显露所述透明顶电极的公共电极通孔；

形成第二金属层，并图形化所述第二金属层，形成公共电极，所述公共电极填充所述公共电极通孔；

图形化所述第二保护层，形成显露所述金属隔离层的第二保护层通孔；

去除所述金属隔离层，显露所述第一保护层；

形成第三保护层，所述第三保护层覆盖所述公共电极并填充所述第二保护层通孔；

于所述第三保护层上形成遮光层，所述遮光层位于所述氧化物有源层的上方；

形成第四保护层，所述第四保护层覆盖所述遮光层及第三保护层；

形成闪烁体层，所述闪烁体层覆盖所述第四保护层。

2.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述氧化物有源层包括a-IGZO层、a-IZO层、a-IGO层、In₂O₃层、ZnO层、a-IZTO层及AlZnO_x层中的一种或组合；所述氧化物有源层的厚度范围为

3.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述金属隔离层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属隔离层的厚度为

4.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述第一保护层包括SiO_x层、SiN_x层、SiO_xN_y层、AlO_x层、ZrO_x层、TiO_x层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第一保护层的厚度范围为所述第二保护层包括SiO_x层、SiN_x层、SiO_xN_y层、AlO_x层、ZrO_x层、TiO_x层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第三保护层包括SiO_x层、SiN_x层、SiO_xN_y层、AlO_x层、ZrO_x层、TiO_x层及有机绝缘层中的一种或组合。

5.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述栅极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述栅极的厚度范围为所述栅极绝缘层包括SiO_x层、SiN_x层、SiO_xN_y层、AlO_x层、ZrO_x层、TiO_x层及有机绝缘层中的一种或组合；所述栅极绝缘层的厚度范围为