[发明专利]红外探测器模组的制造方法

权利要求书

1.一种红外探测器模组的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1，提供一陶瓷基板（11），所述陶瓷基板（11）在厚度方向（H）上具有第一表面（111）和第二表面（112）；

S2，采用面沉积工艺对陶瓷基板（11）的第一表面（111）进行金属化并形成第一金属层（11A）、第二金属层（11B）和多个第三金属层（11C），且第二金属层（11B）环绕在第一金属层（11A）外侧、所述多个第三金属层（11C）位于第二金属层（11B）与第一金属层（11A）之间；

S3，采用面沉积工艺对陶瓷基板（11）的第二表面（112）进行金属化并形成多个第四金属层（11D）；

S4，在陶瓷基板（11）的第一金属层（11A）、多个第三金属层（11C）和多个第四金属层（11D）上制作连接线路；

S5，采用面沉积工艺在第二金属层（11B）上进行金属层堆积并形成突出于第一金属层（11A）的金属围坝（12），所述金属围坝（12）与陶瓷基板（11）一起构成红外探测器模组的外壳体（1）；

S6，提供一红外芯片（2），并将红外芯片（2）固定在陶瓷基板（11）的第一金属层（11A）上，且利用导线将红外芯片（2）与所述多个第三金属层（11C）电连接；

S7，提供一吸气剂（3），并将吸气剂（3）设置在外壳体（1）中，且在真空环境下对吸气剂（3）进行激活；

S8，提供一光学窗口（4）和一第一连接件（5），并在高温真空环境下将光学窗口（4）通过第一连接件（5）固定到外壳体（1）的金属围坝（12）上，以使光学窗口（4）与外壳体（1）围成封闭的探测器腔体；

在步骤S3中，采用面沉积工艺在陶瓷基板（11）的第二表面（112）上还形成有多个散热用金属层（11F），所述散热用金属层（11F）与所述多个第四金属层（11D）间隔设置。

2.根据权利要求1所述的红外探测器模组的制造方法，其特征在于，在步骤S7中，吸气剂（3）通过高温激活。

3.根据权利要求1所述的红外探测器模组的制造方法，其特征在于，

在步骤S3中，采用面沉积工艺在陶瓷基板（11）的第二表面（112）上还形成有多个吸气剂用金属层（11E）；

在步骤S7中，吸气剂（3）通过吸气剂用金属层（11E）进行通电激活。

4.根据权利要求1所述的红外探测器模组的制造方法，其特征在于，所述面沉积工艺为蒸镀、磁控溅射、电镀或化学镀中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的红外探测器模组的制造方法，其特征在于，金属围坝（12）在所述厚度方向（H）上的高度为第一金属层（11A）的厚度的10-60倍。

6.根据权利要求1所述的红外探测器模组的制造方法，其特征在于，

红外芯片（2）通过第二连接件（6）固定在陶瓷基板（11）的第一金属层（11A）上；

第二连接件（6）为导电胶或焊料片。

7.根据权利要求1所述的红外探测器模组的制造方法，其特征在于，吸气剂（3）设置在第一表面（111）上、并位于第二金属层（11B）与第一金属层（11A）之间。

8.根据权利要求1所述的红外探测器模组的制造方法，其特征在于，吸气剂（3）为四个，所述四个吸气剂（3）间隔设置。

9.根据权利要求1所述的红外探测器模组的制造方法，其特征在于，陶瓷基板（11）的第二表面（112）上的各第四金属层（11D）为平面板状结构。