[发明专利]一种用于清洁半导体芯片洗涤剂及其制备方法

说明书

本发明提供一种用于清洁半导体芯片洗涤剂及其制备方法。该清洁剂各组分以及各组分含量如下：乙二胺四乙酸钠5～10wt％、氢氟酸10～15wt％、氧化剂10～15wt％、表面活性剂5～20wt％、抗静电剂3～5wt％、有机溶剂15～30wt％金属防锈剂1～10wt％以及去离子水。本申请提供的供一种用于清洁半导体芯片洗涤剂，可彻底清除半导体材料器件的表面的石蜡、油脂和油脂类高分子化合物以及表面玷污的金属原子和金属原子，且该清洁剂中添加了抗静电剂克服了现有技术中清洁剂引起的静电现象，影响半导体器件的性能。同时本申请的清洁半导体芯片洗涤剂为水基清洁剂，不仅制备成本低，而且无毒性、无腐蚀性，不会对操作人员的安全和健康产生危害。

技术领域

本申请涉及一种用于清洁半导体芯片洗涤剂，特别涉及一种用于清洁半导体芯片洗涤剂及其制备方法，属于清洁剂技术领域。

背景技术

随着半导体技术的发展，清洁半导体用的清洁剂的需求量越来越大，而现有技术中的半导体水基清洗剂主要用于清洗半导体表面玷污的石蜡、油脂和油脂类高分子化合物以及表面玷污有金属原子和金属离子。但是现有技术中的清洁剂中的主要成分是酸、碱、双氧水、苯类化合物等试剂，这些试剂不仅制备成本高，而且有毒性、腐蚀性，对操作人员的安全和健康产生危害，同时排放的物质也污染环境。因此如何提供一种绿色环保在半导体分立器件和中、小规模集成电路中能够完全代替传统半导体清洗工艺中使用的清洗液，是一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于清洁半导体芯片洗涤剂，以克服现有技术中的不能彻底清除对半导体材料器件的表面的石蜡、油脂和油脂类高分子化合物以及表面玷污的金属原子和金属原子不足。

本发明的目的在于提供一种用于清洁半导体芯片洗涤剂，以克服现有技术中清洁剂引起的静电现象，影响半导体器件的性能。

本发明的目的在于提供一种用于清洁半导体芯片洗涤剂，以克服现有技术中对铝基半导体腐蚀性较大的问题。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

所述一种用于清洁半导体芯片洗涤剂，各组分以及各组分含量如下：

可选地，所述乙二胺四乙酸钠的质量分数上限选自6wt％、7wt％、8wt％、9wt％、10wt％，所述乙二胺四乙酸钠的质量分数下限选自5wt％、6wt％、7wt％、8wt％、9wt％。

可选地，所述氢氟酸的质量分数上限选自11wt％、12wt％、13wt％、14wt％、15wt％；所述氢氟酸的质量分数下限选自10wt％、11wt％、12wt％、13wt％、14wt％。

可选地，所述氧化剂的质量分数上限选自11wt％、12wt％、13wt％、14wt％、15wt％；所述氧化剂的质量分数下限选自10wt％、11wt％、12wt％、13wt％、14wt％。

可选地，所述表面活性剂的质量分数上限选自8wt％、10wt％、12wt％、15wt％、18wt％、20wt％；所述表面活性剂的质量分数下限选自5wt％、8wt％、10wt％、12wt％、15wt％、18wt％。

可选地，所述抗静电剂的质量分数为3wt％。

可选地，所述抗静电剂的质量分数为4wt％。

可选地，所述抗静电剂的质量分数为5wt％。

可选地，所述有机溶剂的质量分数上限选自18wt％、20wt％、22wt％、25wt％、28wt％、30wt％；所述有机溶剂的质量分数下限选自15wt％、18wt％、20wt％、22wt％、25wt％、28wt％。