[发明专利]感应耦合电浆设备及其操作方法

说明书

提供一种感应耦合电浆设备及其操作方法，操作感应耦合电浆设备的方法包含：将一第一磁场遮蔽元件设置邻近于一反应室的一第一侧；当第一磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧时，进行一第一电浆制程；在进行完该第一电浆制程之后，从该反应室的该第一侧，移除该第一磁场遮蔽元件；以及在从该反应室的该第一侧移除该第一磁场遮蔽元件之后，进行一第二电浆制程。

技术领域

本揭露是关于一种感应耦合电浆设备及其操作方法。

背景技术

近年来，半导体集成电路(semiconductor integR1ted circuits)经历了指数级的成长。在集成电路材料以及设计上的技术进步下，产生了多个世代的集成电路，其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，当几何尺寸(亦即，制程中所能产出的最小元件或者线)缩小时，功能密度(亦即，每一晶片区域所具有的内连接装置的数目)通常会增加。

一般而言，此种尺寸缩小的制程可以提供增加生产效率以及降低制造成本的好处，然而，此种尺寸缩小的制程亦会增加制造与生产集成电路的复杂度。为了实现这些进步，需要在集成电路制程和制造设备中进行相应的研发。在一例子中，利用电浆制造系统来实施基板的电浆蚀刻制程。于电浆蚀刻制程中，电浆通过从基板表面蚀刻的材料的元素与由电浆产生的反应性物质之间的化学反应产生挥发性蚀刻产物。

发明内容

本揭露的部分实施方式提供了一种操作感应耦合电浆设备的方法。该方法包含：将一第一磁场遮蔽元件设置邻近于一反应室的一第一侧；当第一磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧时，进行一第一电浆制程；在进行完该第一电浆制程之后，从该反应室的该第一侧，移除该第一磁场遮蔽元件；以及在从该反应室的该第一侧移除该第一磁场遮蔽元件之后，进行一第二电浆制程。

本揭露的部分实施方式提供了一种操作一感应耦合电浆设备的方法，包含：将一第一磁场遮蔽元件设置邻近于一反应室的一第一侧；当该第一磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧时，进行一第一电浆制程；在进行完该第一电浆制程之后，将一第二磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧；以及当该第一磁场遮蔽元件以及该第二磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧时，进行一第二电浆制程。

本揭露的部分实施方式提供了一种感应耦合电浆设备。感应耦合电浆设备包含反应室、晶圆基座、第一磁场遮蔽元件以及第二磁场遮蔽元件。反应室具有本体以及介电板体，其中该本体以及该介电板体定义一空间。晶圆基座设置于反应室中用以承载一基板。第一磁场遮蔽元件可拆卸地设置于该本体的外表面。第二磁场遮蔽元件可拆卸地设置于该本体的该外表面。

附图说明

从以下详细叙述并搭配附图检阅，可理解本揭露的态样。应注意到，多种特征并未以产业上实务标准的比例绘制。事实上，为了清楚讨论，多种特征的尺寸可以任意地增加或减少。

图1为根据本揭露的部分实施方式中的感应耦合电浆设备的剖面示意图；

图2为根据本揭露的部分实施方式中的感应耦合电浆设备的立体示意图；

图3为根据本揭露的部分实施方式中的感应耦合电浆设备的立体示意图；

图4为根据本揭露的部分实施方式中的感应耦合电浆设备的立体示意图；

图5为根据本揭露的部分实施方式中的操作感应耦合电浆设备方法的流程图；

图6A至图6B为根据本揭露的部分实施方式中的操作感应耦合电浆设备方法于各个阶段的示意图；

图7为根据本揭露的部分实施方式中的操作感应耦合电浆设备方法的流程图；

图8A至图8J为根据本揭露的部分实施方式中的半导体装置于制程中各个阶段的示意图；

图9为根据本揭露的部分实施方式中的半导体制程机台的示意图。

【符号说明】