[发明专利]一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用气相三元气体混合浴法在基底上制备得到钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，利用气相三元气体混合浴法在基底上制备得到钙钛矿薄膜，具体方法是：

在温度为30-120℃、气源压力为0.05-0.3Pa的条件下，以氩气为稳定气源，通入MA蒸汽、HI蒸汽及I₂蒸汽，在基底上制备得到钙钛矿薄膜，所得钙钛矿薄膜的厚度为300-600nm。

3.根据权利要求2所述的一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，MA蒸汽、HI蒸汽及I₂蒸汽摩尔比为(0.8-1.2):(0.8-1.2):(0.8-1.4)。

4.根据权利要求1所述的一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，利用气相三元气体混合浴法在基底上制备得到钙钛矿薄膜，具体方法是：

在温度为70℃、气源压力为0.08Pa的条件下，以氩气为稳定气源，通入MA蒸汽、HI蒸汽及I₂蒸汽，在基底上制备得到钙钛矿薄膜，所得钙钛矿薄膜的厚度为300-600nm。

5.根据权利要求1所述的一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，MA蒸汽、HI蒸汽及I₂蒸汽摩尔比为1:1:1.2。

6.根据权利要求1所述的一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底和钙钛矿薄膜之间设置有铅膜。

7.一种三元气体混合浴的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在导电电极基底上制备得到空穴传输层；

步骤2，在得到的空穴传输层上利用气相三元气体混合浴法制备钙钛矿吸光层；

步骤3，在得到的钙钛矿吸光层上制备电子传输层；

步骤4，在得到的电子传输层上制备金属对电极层，得到基于三元气体混合浴的钙钛矿薄膜。

8.根据权利要求7所述的一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，利用刮刀涂布法在导电电极基底上制备空穴传输层。

9.根据权利要求7所述的一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，在得到的空穴传输层上制备钙钛矿吸光层，具体方法是：

在空穴传输层上制备铅膜，之后在温度为30-120℃、气源压力为0.05-0.3Pa的条件下，以氩气为稳定气源，通入MA蒸汽、HI蒸汽及I₂蒸汽，在铅膜上制备得到钙钛矿吸光层。

10.根据权利要求9所述的一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述MA、HI及I₂的摩尔比为(0.8-1.2):(0.8-1.2):(0.8-1.4)。