[发明专利]一种三维智能微系统芯片有效

专利信息
申请号: 202011465265.0 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112582371B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 雷宇;张光明;刘梦;陈后鹏;宋志棠 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/52;H10B80/00;B81B7/00;B81B7/02;G01D21/02
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 代理人: 魏峯;黄志达
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 三维 智能 系统 芯片
【权利要求书】:

1.一种三维智能微系统芯片,其特征在于:所述芯片包括:

第一芯片(1);所述第一芯片(1)包括第一传感层(11);

第二芯片(2);所述第二芯片(2)包括第一衬底(20)和第一有源区层(21);所述第一衬底(20)和所述第一有源区层(21)自上而下层叠连接;

第一导电通道(5);所述第一导电通道(5)的一端连接所述第二芯片(2)内部,作为所述微系统芯片的输入端或输出端;

第二导电通道(6);所述第二导电通道(6)的一端连接所述第二芯片(2)内部,另一端连接所述第一传感层(11),作为所述第一芯片(1)与所述第二芯片(2)之间的数据传输通道;

第四衬底(10);所述第四衬底(10)层叠于所述第一传感层(11);

所述微系统芯片还包括:

导电凸块(8);所述导电凸块(8)设于所述第一导电通道(5)的一端,所述导电凸块(8)和所述第一导电通道(5)连接。

2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述第一传感层(11)包括压力传感器、热敏传感器、光敏传感器、位置传感器、液位传感器、能耗传感器、速度传感器、加速度传感器、射线辐射传感器中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述第二芯片(2)还包括:

第一金属层(22)、第一介电层(23)和至少一个第一通孔(24);所述第一衬底(20)、所述第一有源区层(21)、所述第一金属层(22)和所述第一介电层(23)自上而下依次层叠连接;所述第一通孔(24)设于第一介电层(23)内部,所述第一通孔(24)连接所述第一金属层(22)和所述第一介电层(23)外部,所述第一通孔(24)为所述第二芯片(2)的输入端或输出端。

4.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于:所述第二芯片(2)还包括:

第三存储层(25);所述第三存储层(25)位于所述第一有源区层(21)和所述第一金属层(22)之间。

5.根据权利要求4所述的芯片,其特征在于:所述第二芯片(2)还包括:

第四金属层(26);所述第四金属层(26)位于所述第一有源区层(21)和所述第三存储层(25)之间。

6.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于:所述芯片还包括:

第三芯片(3);所述第三芯片(3)包括第二衬底(30)、第一存储层(31)、第二介电层(33)和至少一个第二通孔(34);所述第二衬底(30)、第一存储层(31)和第二介电层(33)自下而上依次层叠连接;所述第二通孔(34)设于第二介电层(33)内部,所述第二通孔(34)连接所述第一存储层(31)和所述第二介电层(33)外部,所述第二通孔(34)为所述第三芯片(3)的输入端或输出端;

所述第一介电层(23)与所述第二介电层(33)自上而下层叠连接,所述第一通孔(24)和所述第二通孔(34)一一对应。

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