[发明专利]一种高频高Q电容器的制备方法在审
申请号: | 202011426007.1 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN112542325A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 高泮嵩;黎锐;郭军坡;黄浩;徐建平;李飞;张孟熙 | 申请(专利权)人: | 广东风华邦科电子有限公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12;H01G13/00;C04B35/462;C04B35/50;C04B35/628;C04B41/90 |
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地址: | 526108 广东省肇庆市高要区金渡镇肇江*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高频 电容器 制备 方法 | ||
本发明公开一种高频高Q电容器的制备方法,依次通过具有“壳‑芯”结构的高活性复合粉料的制备,将高活性复合粉料混合有机溶剂、分散剂、增塑剂、除泡剂和成浆剂制备成高流变特性流延浆料,然后流延处理制成介质膜,并通过介质膜印刷叠层处理成巴块,巴块经层压处理成电容生片,然后电容生片经过高温排胶、高温烧结成电容瓷片,最后经过表面覆盖镍层和锡层,在经过可靠性试验后进行分选,将合格的产品包装,本发明制得的电容器具有高Q值、低等效串联电阻、高自谐振频率的特征,保证微波电路信号的极低损耗传输。
技术领域
本发明属于涉及一种高频高Q电容器的制备方法。
背景技术
信息技术正在以前所未有的速度引领着我们时代的变革,促进射频、微波及毫米波段的电磁材料和器件正在由模拟向数字、定频向变频、接插件向平面片式化方向发展,对电磁功能材料的使用频段,合成工艺和手段,微结构和力、热、光、电性能等都提出了新的要求。基于这些材料的元器件必须以小、薄、轻和低功耗、高可靠、高稳定为发展目标,新型高性能核心元器件及其制造材料已成为当今世界高端无源电子元器件领域的主要研究问题。无源或有源器件混合集成的发展创造了很好的条件,并迅速在叠层片式无源集成元件中获得了广泛的应用,多层片式电容器就是其中一种。
现代电子设备的发展趋势是小型化、集成化和多元化,该趋势对电子元器件的要求为体积小,损耗低且稳定性高。多层片式瓷介电容器具有体积小、性能优良和稳定性高等特点,产品因顺应了电子设备的发展趋势,目前大部分型号已实现了国产化。目前,多层片式瓷介电容器的使用量已占到被动元器件总量的60%,而在新型的电子产品(如雷达、蜂窝基站、无线通讯,高频/微波、射频功率放大器、混频器、振荡器、低噪声放大器等)中。
我国企业在高频高Q多层片式电容器领域占据的市场份额非常小,主要是因为产品性能达不到国外企业产品的水平。我国企业生产的高频、高Q电容器容量较小,在1MHz射频条件下使用,Q值较低(一般低于1000),无法满足现代移动通信设备的使用要求。
发明内容
有鉴于此,本发明目的是提供一种具有高Q值、低等效串联电阻、高自谐振频率的特征,保证微波电路信号极低损耗传输的高频高Q电容器的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:
一种高频高Q电容器的制备方法,包括以下步骤:
步骤1、具有“壳-芯”结构的高活性复合粉料的制备,具体步骤如下:
c、首先采用水热法制备Ba6-3xNd8+2xTi18O54粉体,将四氯化钛、醋酸钡、氯化钕和掺杂元素溶液置于高压釜中,在175-275℃条件下进行高压
d、水热反应,得到微量元素均匀掺杂的Ba6-3xNd8+2xTi18O54高活性粉体,备用;
c、拟对具体步骤a制得的粉体进行增加超声波振荡处理,使粉体的团聚效应减小,分散性和活性得到进一步提高,然后,将具体步骤b制得的Ba6-3xNd8+2xTi18O54粉体与Mg(NO3)2、TiCl4溶液混合后置于高能球磨机中进行高能球磨,通过高能球磨使Mg和Ti元素均匀包裹于Ba6-3xNd8+2xTi18O54粉体的表面,同时提高粉体的分散性;
d、将具体步骤c球磨后的粉体送入烘干炉内烘干后取出,并送入预烧炉内进行预烧,系统调节预烧工艺,通过调整预烧温度和时间,使Ba6-3xNd8+2xTi18O54表面的MgTiO3得以合成,最终制备由Ba6-3xNd8+2xTi18O54为核芯、由MgTiO3为外壳的“壳-芯”结构高活性复合粉体;
步骤2、浆料制备:将步骤1制备好的高活性复合粉体与有机溶剂、分散剂、增塑剂和除泡剂按比例加入到装有锆球的球磨罐内,转动球磨罐带动罐内材料进行运动,使锆球对高活性复合粉体进行剪切动作,完成对浆料进行研磨、分散效果;然后,再加入成型浆并进行二次球磨,调整浆料的流变特性,制备满足生产需要的高流变特性流延浆料,备用;
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