[发明专利]缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法、终端和存储介质有效
申请号: | 202011415076.2 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112635478B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 徐然;熊伟;陈华伦 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/11536 | 分类号: | H01L27/11536;H01L27/11548;H01L27/11558 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缩小 嵌入式 闪存 控制 多晶 刻蚀 关键 尺寸 方法 终端 存储 介质 | ||
1.一种缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,在控制栅多晶硅上沉积硬掩膜;
S2,在硬掩膜上旋涂光刻胶,通过第一光罩曝光形成第一光刻图形,将第一光刻图形转移到硬掩膜,并去除光刻胶;
S3,在硬掩膜上旋涂光刻胶,使光刻胶和硬掩膜在Z字形控制栅多晶硅直边两侧竖直方向形成不同的错层结构,通过第二光罩曝光形成第二光刻图形,将第二光刻图形与硬掩膜交叠图形转移到控制栅多晶硅;
所述不同的错层结构是Z字形控制栅多晶硅直边一侧的光刻胶伸出硬掩膜对控制栅多晶硅的一部分形成遮挡,该Z字形控制栅多晶硅直边另一侧硬掩膜露出其上方光刻胶;
S4,去除光刻胶及硬掩膜,获得控制栅多晶硅刻蚀图形。
2.如权利要求1所述缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法,其特征在于:所述第一光罩包括但不限于字线端头浮栅隔离(FLGT2)掩模版。
3.如权利要求1所述缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法,其特征在于:所述硬掩膜包括但不限于SiO2或SiN。
4.如权利要求1所述缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法,其特征在于:步骤S2通过干法刻蚀将光刻图形转移到硬掩膜。
5.如权利要求1所述缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法,其特征在于:步骤S3通过干法刻蚀将光刻图形转移到将第二光刻图形与硬掩膜交叠图形转移到控制栅多晶硅。
6.如权利要求1所述缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法,其特征在于:其能应用于包括但不限于48nm和64nm的嵌入式闪存工艺制程。
7.一种终端设备,其特征在于:其用于执行权利要求1-5任意一项所述缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法。
8.一种计算机可读存储介质,其存储有计算机程序,其特征在于:所述计算机程序被处理器执行时,实现权利要求1-5任意一项所述缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法中的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的