[发明专利]一种半导体存储器的测试方法

说明书

本发明公开了一种半导体存储器的测试方法，涉及半导体存储器测试技术领域。本发明包括DC测试、功能测试和AC测试，所述DC测试验证半导体的电压及电流参数，所述功能测试验证芯片内部一系列逻辑功能性操作及其正确性，所述AC测试以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。本发明半导体存储器的测试方法对于半导体硬件的检测精度更高，检测环节涉及范围更广，能够有效降低失误率，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体存储器测试技术领域，特别是涉及一种半导体存储器的测试方法。

背景技术

半导体存储器用半导体集成电路工艺制成的存储数据信息的固态电子器件，它由大量相同的存储单元和输入、输出电路等构成，每个存储单元有两个不同的表征态“0”和“1”，用以存储不同的信息，半导体存储器是构成计算机的重要部件，同磁性存储器相比，半导体存储器具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点，并且存储单元阵列和主要外围逻辑电路兼容，可制作在同一芯片上，使输入输出接口大为简化，因此，在计算机高速存储方面，半导体存储器已全部替代过去的磁性存储器，这种存储器的主要优点是：①存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配，这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化；②数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度；③利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降，因此，在计算机高速存储方面，半导体存储器已全部替代了过去的磁性存储器，用作大规模集成电路的半导体存储器，是1970年前后开始生产的1千位动态随机存储器，随着工艺技术的改进，到1984年这类产品已达到每片1兆位的存储容量，按功能的不同，半导体存储器可分为随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)和串行存储器三大类，随着半导体集成电路工艺技术的发展，半导体存储器容量增长非常快，单片存储容量已进入兆位级水平，如16兆动态随机存储器(DRAM)已商品化，64兆、256兆DRAM在研制中；

目前半导体存储器的测试方法对于半导体加工过程中硬件检测的涉及范围不足，对于硬件检测存在误差，并且目前的测试方法对于不合格品的把控度不佳，存在一定的局限性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体存储器的测试方法，解决目前半导体存储器的测试方法对于半导体加工过程中硬件检测的涉及范围不足，对于硬件检测存在误差，并且对于不合格品的把控度不佳等的问题。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明为一种半导体存储器的测试方法，包括DC测试、功能测试和AC测试，所述DC测试验证半导体的电压及电流参数，所述功能测试验证芯片内部一系列逻辑功能性操作及其正确性，所述AC测试以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。

所述测试方法包括如下步骤：

步骤一：将晶圆切割成各独立的电路单元，单个单元进行独立封装和测试；

步骤二：对上述切割的独立电路单元进行一次测试，测试方向为验证各电路单元封装后的正确性，以符合完成指标；

步骤三：对上述步骤测试完成的各独立电路单元进行器件特性描述，设定器件工作参数范围的极限值；

步骤四：对进行器件特性描述后的晶圆进行二次测试，测试方向为抗老化指标；

步骤五：上述测试指标完成后进行封装验证，检验芯片经过封装过程后是否依然完好；

步骤六：对上述步骤五中的封装验证过程进行评估，以验证其正确性，以对封装验证环节进行进一步优化。

优选地，所述测试方法利用测试程序进行系统硬件的测试，并随之给出相应的测试结果，以判定该硬件是否达到设计要求。

优选地，所述步骤二中对切割的独立电路单元测试还包括质量保证测试，以确保无不合格品。