[发明专利]一种半导体存储器的测试方法在审

专利信息
申请号: 202011408393.1 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN112331251A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 林汉忠 申请(专利权)人: 深圳市博业诚电子有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 深圳市查策知识产权代理事务所(普通合伙) 44527 代理人: 曾令安
地址: 518048 广东省深圳市福田区华强*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 存储器 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器的测试方法,包括DC测试、功能测试和AC测试,其特征在于:所述DC测试验证半导体的电压及电流参数,所述功能测试验证芯片内部一系列逻辑功能性操作及其正确性,所述AC测试以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。

2.根据权利要求1所述的一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述测试方法包括如下步骤:

步骤一:将晶圆切割成各独立的电路单元,单个单元进行独立封装和测试;

步骤二:对上述切割的独立电路单元进行一次测试,测试方向为验证各电路单元封装后的正确性,以符合完成指标;

步骤三:对上述步骤测试完成的各独立电路单元进行器件特性描述,设定器件工作参数范围的极限值;

步骤四:对进行器件特性描述后的晶圆进行二次测试,测试方向为抗老化指标;

步骤五:上述测试指标完成后进行封装验证,检验芯片经过封装过程后是否依然完好;

步骤六:对上述步骤五中的封装验证过程进行评估,以验证其正确性,以对封装验证环节进行进一步优化。

3.根据权利要求2所述的一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述测试方法利用测试程序进行系统硬件的测试,并随之给出相应的测试结果,以判定该硬件是否达到设计要求。

4.根据权利要求3所述的一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述步骤二中对切割的独立电路单元测试还包括质量保证测试,以确保无不合格品。

5.根据权利要求4所述的一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述步骤四中抗老化指标的测试方法包括扩大温度范围的方式。

6.根据权利要求5所述的一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述测试方法得出测试结果后,依据测试结果按性能进行硬件分类,从而划分其实际应用领域。

7.根据权利要求6所述的一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述测试系统由电子电路和机械硬件组成,是由同一个主控制器指挥下的电源、计量仪器、信号发生器、模式生成器和其他硬件项目的集合体。

8.根据权利要求7所述的一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,所述半导体器件DUT的引脚分别为信号、电源和地,信号脚包括输入、输出、三态和双向四类,电源脚包括电源和地,其组成供电回路,有与信号引脚不同的电路结构。

9.根据权利要求8所述的一种半导体存储器的测试方法,其特征在于,步骤七:所述步骤五检验芯片经过封装过程是否完好中,对失效芯片进行回收处理并分析找到失良的关键因素,以加强芯片的可靠性。

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