[发明专利]三维存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构包括：

半导体层，包括沿第一方向依次设置的核心区域、台阶区域及外围区域；

底部选择栅堆叠结构，形成于所述半导体层上；

介质支撑结构，位于所述台阶区域内，所述介质支撑结构依次贯穿所述底部选择栅堆叠结构和所述半导体层；

存储栅堆叠结构，形成于所述底部选择栅极堆叠结构上；

栅线间隙，沿所述第一方向延伸，所述栅线间隙依次贯穿所述存储栅堆叠结构和所述底部选择栅堆叠结构并延伸进入所述半导体层中。

2.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述栅线间隙包括用于分隔块存储区的第一栅线间隙及用于分割块所述存储区内部指存储区的第二栅线间隙；所述三维存储器结构还包括底栅切槽填充结构，所述底栅切槽填充结构贯穿所述底部选择栅堆叠结构，所述底栅切槽填充结构沿所述第二栅线间隙的长度方向间隔设置，位于所述底部选择栅堆叠结构中的所述第二栅线间隙在所述底栅切槽填充结构处间断。

3.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述介质支撑结构包括环状介质支撑结构，围绕部分所述半导体层及部分所述底部选择栅堆叠结构设置。

4.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述介质支撑结构包括实心介质支撑结构。

5.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述介质支撑结构的材料包括氧化硅、氮氧化硅或正硅酸乙酯。

6.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述底部选择栅堆叠结构和所述存储栅堆叠结构在所述台阶区域形成有多级台阶。

7.根据权利要求6所述的三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构还包括，形成于各级所述台阶上的若干连接柱。

8.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构还包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述半导体层的远离所述底部选择栅堆叠结构的表面。

9.根据权利要求8所述的三维存储器结构，其特征在于，所述蚀刻停止层的材料包括氧化铝、氮氧化硅、氧化硅或氮氧化硅。

10.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述半导体层包括依次设置的第一半导体层、第二半导体层及第三半导体层，所述底部选择栅堆叠结构形成于所述第三半导体层上。

11.根据权利要求1-10中任意一项所述的三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构还包括形成于所述外围区域的外围填充结构，所述外围填充结构贯穿所述半导体层。

12.根据权利要求11所述的三维存储器结构，其特征在于，所述外围填充结构的材料包括氧化硅、氮氧化硅、或正硅酸乙酯。

13.根据权利要求11所述的三维存储器结构，其特征在于，所述外围填充结构包括环状外围填充结构，围绕位于所述外围区域的部分所述半导体层设置。

14.根据权利要求11所述的三维存储器结构，其特征在于，所述外围填充结构为实心外围填充结构。

15.根据权利要求11所述的三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构包括台阶覆盖层和外围连接柱，所述台阶覆盖层覆盖所述台阶区域和外围区域，所述外围连接柱贯穿位于所述外围区域的所述台阶覆盖层并延伸至所述外围填充结构。

16.根据权利要求15所述的三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构还包括金属接触，所述金属接触贯穿至少部分所述外围填充结构并与所述外围连接柱连接。