[发明专利]边缘环以及退火装置

说明书

本发明提供的一种边缘环以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。在上述技术方案中，沟槽开设在搁置槽的槽底，当晶圆放置在搁置槽内以后，由于搁置槽的槽底具有该沟槽，所以晶圆与搁置槽的实际接触面积会相对减少，可以使晶圆在搁置槽内搁置时，有效的降低与边缘环之间的冲击破损，进而减少微粒的产生，有效的提高晶圆的质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种边缘环以及退火装置。

背景技术

现有半导体的快速热处理装置(RTP)具有边缘环，该边缘环可以提高晶圆运送的准确性及稳定性，使晶圆能够准确且稳定的置于底盘的正中间。但是，边缘环作为具有边缘导向功能的部件，当晶圆放置在边缘环上以后，晶圆的下方会与边缘环形成接触，进而容易导致晶圆产生颗粒，影响晶圆的质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种边缘环以及退火装置，以解决现有技术中边缘环与晶圆装配是产生颗粒，影响晶圆质量的技术问题。

本发明提供的一种边缘环，包括：

环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。

本发明还提供了一种退火装置，包括所述边缘环；还包括旋转部件、底盘和烘烤部件；所述烘烤部件与所述旋转部件相对设置，所述边缘环设置在所述底盘上，所述底盘和所述边缘环位于所述旋转部件和所述烘烤部件之间。

在上述技术方案中，沟槽开设在搁置槽的槽底，当晶圆放置在搁置槽内以后，由于搁置槽的槽底具有该沟槽，所以晶圆与搁置槽的实际接触面积会相对减少，可以使晶圆在搁置槽内搁置时，有效的降低与边缘环之间的冲击破损，进而减少微粒的产生，有效的提高晶圆的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一个实施例提供的晶圆与边缘环的装配结构示意图；

图2为本发明一个实施例提供的沟槽的平面结构示意图；

图3为本发明一个实施例提供的通孔的平面结构示意图；

图4为本发明一个实施例提供的晶圆与边缘环和底盘的装配结构示意图；

图5为本发明一个实施例提供的环体、底盘和晶圆的相对位置关系图。

附图标记：

1、环体；2、底盘；3、晶圆；

11、搁置槽；12、沟槽；13、通孔；

131、第一孔段；132、第二孔段。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。