[发明专利]边缘环以及退火装置在审
| 申请号： | 202011358841.1 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114566439A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 朴兴雨;李河圣;朱宁炳;熊文娟;蒋浩杰;崔恒玮;李亭亭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘 以及 退火 装置 | ||
1.一种边缘环，其特征在于，包括：
环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。
2.根据权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述沟槽为环状槽，所述环状槽与所述搁置槽同轴设置，且所述环状槽位于所述搁置槽的槽内边缘。
3.根据权利要求2所述的边缘环，其特征在于，所述沟槽的槽底面为弧面结构。
4.根据权利要求3所述的边缘环，其特征在于，所述沟槽的宽度在2mm至4mm之间；和/或，所述沟槽的最大深度在0.4mm至0.6mm之间。
5.根据权利要求4所述的边缘环，其特征在于，所述沟槽的宽度为3mm；和/或，所述沟槽的最大深度为0.5。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的边缘环，其特征在于，所述搁置槽内开设有贯通的通孔；所述通孔的数量为多个，多个所述通孔在所述搁置槽上沿其环状周向设置。
7.根据权利要求6所述的边缘环，其特征在于，所述通孔的顶端开口直径大于其底端开口直径。
8.根据权利要求7所述的边缘环，其特征在于，所述通孔包括相互连通的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段位于所述第二孔段之上，且所述第二孔段为锥面孔。
9.根据权利要求8所述的边缘环，其特征在于，所述第一孔段的孔径在1.6mm至2mm之间；和/或，所述第二孔段的最大直径在1.6mm至2mm之间，所述第二孔段的最小直径在0.4mm至0.6mm之间；
和/或，所述通孔的数量为4至8个。
10.一种退火装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的边缘环；还包括旋转部件、底盘和烘烤部件；所述烘烤部件与所述旋转部件相对设置，所述边缘环设置在所述底盘上，所述底盘和所述边缘环位于所述旋转部件和所述烘烤部件之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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