[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202011353916.7 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112490250A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王同;肖梦;许宗珂;张强威;李贝贝 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层；
在垂直于所述衬底的方向形成贯穿所述堆叠层的虚拟沟道孔；
在所述虚拟沟道孔的内壁上形成第一阻挡层；
在形成有所述第一阻挡层的所述虚拟沟道孔中填充非晶碳。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述非晶碳中包括SP3杂化键和SP2杂化键，所述SP3杂化键的含量大于所述SP2杂化键的含量。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成有所述第一阻挡层的所述虚拟沟道孔中填充非晶碳之后，还包括：
对填充有所述非晶碳的所述虚拟沟道孔进行一次平坦化处理；
对平坦化处理后的所述虚拟沟道孔进行清洗。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：
在垂直于所述衬底的方向形成贯穿所述堆叠层的栅线狭缝；
通过所述栅线狭缝形成共源极结构；
对所述共源极结构进行一次平坦化处理。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：
在垂直于所述衬底的方向形成贯穿所述堆叠层的存储沟道孔；
在所述存储沟道孔的内壁上形成存储功能层；
在所述存储功能层上形成沟道层。
6.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上形成有堆叠层；
虚拟沟道结构，所述虚拟沟道结构在垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠层；
其中，所述虚拟沟道结构包括虚拟沟道孔、填充在所述虚拟沟道孔中的非晶碳、以及位于所述非晶碳与所述虚拟沟道孔之间且包围所述非晶碳的第一阻挡层。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述非晶碳中包括SP3杂化键和SP2杂化键，所述SP3杂化键的含量大于所述SP2杂化键的含量。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阻挡层的制作材料包括氧化硅。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
在垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠层的存储沟道结构，所述存储沟道结构包括存储沟道孔、以及依次层叠设置在所述存储沟道孔内壁上的存储功能层和沟道层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述存储功能层包括依次层叠设置在所述存储沟道孔内壁上的第二阻挡层、电荷存储层和遂穿层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
