[发明专利]OLED面板的制作方法、OLED面板在审
申请号: | 202011318692.6 | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN112366223A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 陈小童 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 制作方法 | ||
本发明公开了一种OLED面板的制作方法、OLED面板。该制作方法包括:在基板上形成遮光层和阳极,阳极与遮光层间隔设置。在基板、遮光层和阳极上形成有源层、栅绝缘层和栅极,有缘层位于遮光层的上方。在缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层,并对第二绝缘层和缓冲层进行图案化,形成第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔。第一过孔和第二过孔贯穿第二绝缘层,第三过孔和第四过孔贯穿第二绝缘层和缓冲层;在第二绝缘层上形成源极和漏极。本发明实施例在基板上直接设置阳极,源极通过设置在层间绝缘层上的开孔与阳极连接,使得发光区域有效避开绝缘层,同时不使用平坦层,显著提高了光线的穿透率和发光效率。
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种OLED面板的制作方法、OLED面板。
背景技术
有机发光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)相对于液晶显示器(LCD),具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。其中,对于底发射型显示面板而言,发光效率是衡量其优劣的重要参数之一。
图1为一种现有的常规底发射器件面板的膜层叠构图。如图1所示,该面板包括基板101、遮光层102、阳极103、缓冲层104、有源层105、栅极绝缘层106、栅极层107、层间绝缘层108、源极109、漏极110、保护层111、像素定义层112、平坦层113。现有技术中显示区域下方通常有多层绝缘层堆叠,特别是作为平坦层的有机层,厚度通常达2-4um,极大影响了发光区域穿透率,进而影响到发光效率。
因此,如何提高OLED面板的透光率及发光效率问题成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种OLED面板的制作方法、OLED面板,以解决现有的OLED面板透光率差、发光效率低的问题。
为此,本发明实施例提供了如下技术方案:
本发明第一方面提供了一种OLED面板的制作方法,包括如下步骤:
在基板上形成遮光层;
在所述基板和所述遮光层上涂布阳极层,并对所述阳极层进行图案化,形成阳极,所述阳极与所述遮光层间隔设置;
在所述基板、所述遮光层和所述阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层,并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化,形成有源层、栅绝缘层和栅极,所述有缘层位于所述遮光层的上方;
在所述缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层,并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化,形成第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔;所述第一过孔和第二过孔贯穿所述第二绝缘层,所述第三过孔和第四过孔贯穿所述第二绝缘层和缓冲层;
在所述第二绝缘层上形成第二金属层,并对所述第二金属层进行图案化,形成源极和漏极,所述源极通过第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过第二过孔与所述有源层连接、通过所述第三过孔与所述遮光层连接、通过所述第四过孔与所述阳极连接;
在所述第二绝缘层、源极和漏极上沉积第三绝缘层,并对所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层进行图案化暴露出位于发光区域的所述阳极;
形成覆盖所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层和所述阳极的像素定义层。
进一步地,所述阳极的厚度小于所述遮光层的厚度。
进一步地,在所述基板和所述遮光层上涂布阳极层采用物理沉积镀膜的方式;
所述阳极包括如下一种或几种材料:ITO、IZO、IGZO。
进一步地,在基板上形成遮光层包括如下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的