[发明专利]OLED面板的制作方法、OLED面板

权利要求书

1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成遮光层；

在所述基板和所述遮光层上涂布阳极层，并对所述阳极层进行图案化，形成阳极，所述阳极与所述遮光层间隔设置；

在所述基板、所述遮光层和所述阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化，形成有源层、栅绝缘层和栅极，所述有缘层位于所述遮光层的上方；

在所述缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层，并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化，形成第一过孔、第二过孔、第三过孔和第四过孔；所述第一过孔和第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述第三过孔和第四过孔贯穿所述第二绝缘层和缓冲层；

在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层连接、通过所述第三过孔与所述遮光层连接、通过所述第四过孔与所述阳极连接；

在所述第二绝缘层、源极和漏极上沉积第三绝缘层，并对所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层进行图案化暴露出位于发光区域的所述阳极；

形成覆盖所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层和所述阳极的像素定义层。

2.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述阳极的厚度小于所述遮光层的厚度。

3.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于在所述基板和所述遮光层上涂布阳极层采用物理沉积镀膜的方式；

所述阳极包括如下一种或几种材料：ITO、IZO、IGZO。

4.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在基板上形成遮光层包括如下步骤：

用物理沉积镀膜的方式在所述基板上沉积一层金属并图案化，得到所述遮光层；

所述遮光层包括以下一种或几种材料：Cu、Mo、Ti、Al。

5.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在所述基板、所述遮光层和所述阳极上沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层包括如下步骤：

在所述基板、所述遮光层和所述阳极上采用化学沉积镀膜的方式沉积缓冲层；

用物理沉积镀膜的方式在所述缓冲层上沉积半导体层；

用化学沉积镀膜方式在所述半导体层上沉积第一绝缘层；

用物理沉积镀膜的方式在所述第一绝缘层上沉积第一金属层；

所述缓冲层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO；

所述半导体层包括以下一种或几种材料：IGZO，IZTO，IGZTO中的一种；

所述第一绝缘层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO；

所述第一金属层包括以下一种或几种材料：Cu、Mo、Ti、Al。

6.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在所述缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极上沉积第二绝缘层采用化学沉积镀膜的方式；

所述第二绝缘层包括以下一种或几种材料：SiN、SiO。

7.一种OLED面板，其特征在于，包括：

基板；

遮光层，制备于所述基板表面；

阳极，制备于所述基板表面；所述阳极与所述遮光层间隔设置；

缓冲层，覆盖所述遮光层、所述阳极和所述基板；

有源层，制备于所述缓冲层表面；

栅极绝缘层，制备于所述有源层表面；

栅极，制备于所述栅极绝缘层表面；

第二绝缘层，覆盖所述缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极；

源极，制备于所述第二绝缘层表面，通过贯穿所述第二绝缘层的第一过孔与所述有源层连接；

漏极，制备于所述第二绝缘层表面，通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述有源层连接，通过贯穿所述第二绝缘层和所述缓冲层的第三过孔与所述遮光层连接，通过贯穿所述第二绝缘层和所述缓冲层的第四过孔与所述阳极连接；

第三绝缘层，覆盖所述第二绝缘层、源极和漏极；

像素定义层，覆盖所述第三绝缘层、第二绝缘层和缓冲层。