[发明专利]集成电路在审
申请号: | 202011276805.0 | 申请日: | 2020-11-16 |
公开(公告)号: | CN113053888A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 吴沛勳;韩铭鸿;陈柏年;林志勇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 谢强;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 | ||
1.一种集成电路,包括:
一基板,具有一第一区域及一第二区域;
一第一全绕式栅极装置,位于该第一区域中,其中该第一全绕式栅极装置包括:
一第一通道构件,在一第一方向上纵向延伸;以及
一第一栅极结构,包裹该第一通道构件的一通道区域,其中该第一栅极结构包括一第一界面层,该第一界面层具有在大致垂直于该第一方向的一第二方向上所测量到的一第一厚度;
一第二全绕式栅极装置,位于该第一区域中,其中该第二全绕式栅极装置包括:
一第二通道构件,在该第一方向上纵向延伸;以及
一第二栅极结构,包裹该第二通道构件的一通道区域,其中该第二栅极结构包括一第二界面层,该第二界面层具有在该第二方向上所测量到的一第二厚度,且该第二厚度大于该第一厚度;以及
一第三全绕式栅极装置,位于该第二区域中,其中该第三全绕式栅极装置包括:
一第三通道构件,在该第一方向上纵向延伸;以及
一第三栅极结构,包裹该第三通道构件的一通道区域,其中该第三栅极结构包括一第三界面层,该第三界面层具有在该第二方向上所测量到的一第三厚度,且该第三厚度大于该第二厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011276805.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:利用蓝牙通信的数据打包系统
- 下一篇:玻璃基板化学强化炉装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的