[发明专利]半导体功率器件的制造方法

说明书

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件的制造方法，包括：形成第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述第二沟槽的侧壁和底部；形成一层光刻胶，所述光刻胶填满所述第二沟槽；进行光刻，将位于所述第二沟槽内且靠近所述n型衬底一侧的所述第一绝缘介质层暴露出来，并刻蚀掉位于所述第二沟槽内且靠近所述n型衬底一侧的所述第一绝缘介质层。本发明的半导体功率器件的制造方法，栅极通过第一绝缘介质层与屏蔽栅隔离层，通过增加第一绝缘介质层的厚度可以降低栅源电容，并降低栅源漏电，提高半导体功率器件的可靠性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种半导体功率器件的制造方法。

背景技术

现有技术的一种半导体功率器件的制造方法包括：首先，如图1所示，在硅衬底10上形成硬掩膜层11，采用光刻工艺定义沟槽位置，然后对硬掩膜层11进行刻蚀并继续对硅衬底10进行刻蚀以形成沟槽12；接下来，如图2所示，在沟槽内形成第一绝缘介质层13，然后淀积第一多晶硅层并对该第一多晶硅层进行回刻将位于沟槽外部的第一多晶硅层去除，刻蚀后剩余的第一多晶硅层形成屏蔽栅14，然后以沟槽12侧面的硅衬底部分和屏蔽栅14为自对准边界对第一绝缘介质层13进行自对准刻蚀，将位于沟槽上部的第一绝缘介质层去除而保留沟槽下部的第一绝缘介质层13；接下来，如图3所示，形成第二绝缘介质层15，然后淀积第二多晶硅层并对该第二多晶硅层进行回刻将位于沟槽外部的第二多晶硅层去除，刻蚀后剩余的第二多晶硅层形成多晶硅栅极16。现有技术的半导体功率器件的制造方法，多晶硅栅极16与屏蔽栅14之间由第二绝缘介质层15隔离，由于第二绝缘介质层15还作为多晶硅栅极16与硅衬底10之间的栅介质层使用，因此第二绝缘介质层15的厚度较薄，这使得半导体功率器件的栅源电容较小，且栅源漏电较大。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种半导体功率器件的制造方法，以降低半导体功率器件的栅源电容，并降低半导体功率器件的栅源漏电。

为达到本发明的上述目的，本发明提供了一种半导体功率器件的制造方法，包括：

在n型衬底内形成第一沟槽，在所述第一沟槽内形成场氧化层和屏蔽栅；

以所述n型衬底和所述屏蔽栅为自对准边界对所述场氧化层进行自对准刻蚀，将所述第一沟槽上部内的所述场氧化层刻蚀掉，在所述第一沟槽的上部形成且介于所述屏蔽栅与所述n型衬底之间的第二沟槽；

形成第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述第二沟槽的侧壁和底部；

形成一层光刻胶，所述光刻胶填满所述第二沟槽；

进行光刻，将位于所述第二沟槽内且靠近所述n型衬底一侧的所述第一绝缘介质层暴露出来，然后刻蚀掉位于所述第二沟槽内且靠近所述n型衬底一侧的所述第一绝缘介质层，保留位于所述第二沟槽内且靠近所述屏蔽栅一侧的所述第一绝缘介质层；

去除掉所述光刻胶，在所述第二沟槽内形成栅介质层和栅极。

可选的，本发明的半导体功率器件的制造方法，还包括：

在所述n型衬底内形成p型体区；

在所述p型体区内形成n型源区。

可选的，本发明的半导体功率器件的制造方法，所述第一绝缘介质层为氧化硅层。

可选的，本发明的半导体功率器件的制造方法，形成第一绝缘介质层，包括：

采用次常压化学汽相沉积工艺形成第一绝缘介质层。

可选的，本发明的半导体功率器件的制造方法，刻蚀掉位于所述第二沟槽内且靠近所述n型衬底一侧的所述第一绝缘介质层，包括：

采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉位于所述第二沟槽内且靠近所述n型衬底一侧的所述第一绝缘介质层。