[发明专利]包括集成标准单元结构的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，所述集成电路包括：

第一标准单元，所述第一标准单元包括：

第一p型晶体管；

第一n型晶体管；

第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠沿第二方向延伸以与沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区相交；

至少两个第一延伸源极/漏极接触，所述至少两个第一延伸源极/漏极接触在所述第一栅极堆叠的第一侧沿所述第二方向延伸；

第一正常源极/漏极接触，所述第一正常源极/漏极接触在所述第一栅极堆叠的与所述第一侧相对的第二侧沿所述第二方向延伸；

第一栅极通路，所述第一栅极通路连接到所述第一栅极堆叠；以及

第一源极/漏极通路，所述第一源极/漏极通路连接到所述第一正常源极/漏极接触；

第二标准单元，所述第二标准单元在所述第一方向上与所述第一标准单元相邻，并且包括：

第二p型晶体管；

第二n型晶体管；

第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠沿所述第二方向延伸以与所述第一有源区和所述第二有源区相交；以及

第二栅极通路，所述第二栅极通路连接到所述第二栅极堆叠；

所述第一标准单元的输入布线，所述第一标准单元的所述输入布线沿所述第一方向延伸并连接到所述第一栅极通路；以及

所述第一标准单元的输出布线，所述第一标准单元的所述输出布线沿所述第一方向延伸，并且与所述输入布线位于相同的水平高度处，以连接所述第一源极/漏极通路和所述第二栅极通路，

其中，所述第一p型晶体管和所述第二p型晶体管位于所述第一有源区上，

其中，所述第一n型晶体管和所述第二n型晶体管位于所述第二有源区上。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一标准单元还包括：

第三栅极堆叠，所述第三栅极堆叠沿所述第二方向延伸以与所述第一有源区和所述第二有源区相交，并且与所述第一栅极堆叠间隔开；

第三延伸源极/漏极接触，所述第三延伸源极/漏极接触在所述第三栅极堆叠的第一侧沿所述第二方向延伸；以及

第三栅极通路，所述第三栅极通路连接到所述第三栅极堆叠，

其中，所述第一正常源极/漏极接触在所述第一栅极堆叠的所述第二侧与所述第三栅极堆叠的第二侧之间沿所述第二方向延伸，所述第三栅极堆叠的所述第二侧与所述第三栅极堆叠的所述第一侧相对，并且

其中，所述第一标准单元的所述输入布线连接到所述第一栅极通路和所述第三栅极通路。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二标准单元还包括：

第二正常源极/漏极接触，所述第二正常源极/漏极接触沿所述第二方向延伸以与所述第一有源区和所述第二有源区相交，并且位于所述第二栅极通路的一侧；以及

第二源极/漏极通路，所述第二源极/漏极通路连接到所述第二正常源极/漏极接触。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一标准单元还包括：

至少两个第三源极/漏极通路，所述至少两个第三源极/漏极通路沿所述第一方向延伸并且在第三方向上分别与所述至少两个第一延伸源极/漏极接触交叠，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；以及

第一电源布线和第二电源布线，所述第一电源布线和所述第二电源布线在所述第三方向上与所述第三源极/漏极通路交叠，连接到所述第三源极/漏极通路，并且沿所述第一方向延伸。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，在所述第一标准单元中，所述第一电源布线、所述第二电源布线、所述输入布线和所述输出布线在所述第三方向上位于相同的水平高度处。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一有源区和所述第二有源区包括纳米片，并且所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠围绕所述纳米片。