[发明专利]处理半导体晶片的方法

说明书

根据部分实施例，本公开提供了一种用于处理半导体晶片的方法。此方法包括在微影曝光设备中将载体以及由载体支撑的遮罩一起运输。此方法还包含透过磁场调节载体中的微粒。另外，此方法包括从载体移除遮罩。此方法还包含使用遮罩对微影曝光设备中的半导体晶片执行微影曝光制程。

技术领域

本揭露涉及在微影曝光技术中处理半导体晶片的方法与装置。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit,IC)行业经历了指数增长。集成电路在材料和设计方面的技术进步已经产生了几代集成电路，其中每一代都具有比前一代更小、更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，功能密度(即，每个晶片区域中互连装置的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可以使用制程产生的最小元件(或线宽))减小。这种按比例缩小的过程通常可透过提高生产效率和降低相关成本来提供收益。这种按比例缩小也增加了处理和制造集成电路的复杂性。

微影曝光制程形成用于各种图案化制程(例如，蚀刻或离子布植)的图案化的光阻层。在微影曝光制程中，将光敏层(光阻)用于半导体基板的表面，并且透过将此层暴露于高亮度光的图案而在此层上提供定义半导体装置元件的特征的图像。随着半导体制程的发展以提供更小的临界尺寸，以及装置变得更小且复杂性增加(包括层的数量)，因而需要一种精确地图案化特征的方式，以提高装置的品质、可靠性和产量。

尽管已经研发了许多对执行微影曝光制程的方法的改进，然而它们在所有方面都不是完全地令人满意的。因此，期望提供一种解决方案以改善微影系统，从而增加半导体晶片的生产良率。

发明内容

依据本公开的部分实施例，提供一种处理半导体晶片的方法，包含：一起运输在微影曝光设备中的载体和由载体支撑的遮罩；透过磁场调节载体中的多个微粒；从载体上去除遮罩；以及使用遮罩对微影曝光设备中的半导体晶片执行微影曝光制程。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应理解，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1绘示根据部分实施例中微影曝光设备的示意图；

图2A绘示根据部分实施例中运送盒和载体的分解图；

图2B绘示根据部分实施例中载体的分解图；

图3绘示根据部分实施例中具有遮罩在其中的载体的示意图；

图4绘示根据部分实施例中具有遮罩在其中的基板的俯视图；

图5A示意性地绘示根据部分实施例中磁性元件的磁极相对于遮罩的位置；

图5B示意性地绘示根据部分实施例中磁性元件的磁极相对于遮罩的位置；

图6绘示根据部分实施例中具有遮罩在其中的基板的俯视图；

图7绘示根据部分实施例中具有遮罩在其中的基板的俯视图；

图8绘示根据部分实施例中具有遮罩在其中的基板的俯视图；

图9绘示根据部分实施例的流程图，此流程图绘示用于运输遮罩以进行半导体制造的方法；

图10绘示根据部分实施例中用于运输遮罩以进行半导体制造的方法的一阶段的示意图，其中，将载体与遮罩一起从运送盒运输到接口模块；

图11绘示根据部分实施例中用于运输遮罩以进行半导体制造的方法的一阶段的示意图，其中载体和遮罩均位于负载锁定室中；

图12绘示根据部分实施例中用于运输遮罩以进行半导体制造的方法的一阶段的示意图，其中将载体和遮罩均位于遮罩库中；