[发明专利]一种半导体晶圆储存环境智能控制设备在审
申请号: | 202011246956.1 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112346502A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 程标;翁加林 | 申请(专利权)人: | 南京寅禾信息科技有限公司 |
主分类号: | G05D27/02 | 分类号: | G05D27/02 |
代理公司: | 南京业腾知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32321 | 代理人: | 杨艳平 |
地址: | 210000 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 储存 环境 智能 控制 设备 | ||
本发明公开了一种半导体晶圆储存环境智能控制设备,包括服务端、操作端、晶圆柜体以及安装在晶圆柜体表面的控制设备,服务端通过互联网与操作端相连接,服务端通过线缆与控制设备相连接,控制设备包括壳体、设备主板、仪表盘、电磁阀、流量计、报警蜂鸣器和电源,电磁阀的输入端连接有氮气源,电磁阀的输出端与晶圆柜体相连通,电磁阀与晶圆柜体之间串联有流量计,控制设备还设有配合数据监测的温湿度传感器、氧含量传感器和接近开关传感器。本发明通过在晶圆柜体的表面设有控制设备,方便自动对晶圆柜体内的各项数据进行检测,解决了过去晶圆柜持续充入氮气的浪费问题,在非人为因素下,可100%保证晶圆环境安全。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体为一种半导体晶圆储存环境智能控制设备。
背景技术
晶圆是制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其主要原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨抛光切片后,形成硅晶圆片。
晶圆是极易氧化的,所以它对于环境的温湿度及氧含量要求极高,通常要求氧含量低于0.5%,相对温度范围:17℃~25℃,湿度范围:7%~25%。
现有技术是通过净化气体来控制温湿度及氧含量,目前使用最多的是氮气,通过直冲氮气来控制晶圆存储的环境,但持续直充氮气时间较长后,会使得相对湿度低于7%,低于7%后会增加静电累计,静电累计则极易吸附尘埃、污物,将影响产品质量,恶化产品性能,大大降低成品率。现有技术为解决此问题,采用定时循环冲入氮气方式,勉强维持晶圆环境要求。
目前,现有的设备为定时循环通充入氮气来基本控制晶圆环境的温湿度和氧含量,需要人工参与调整白天和夜间的循环时长,时长设定多为经验值,不能满足各种厂房内部温湿度的场景,且工人极易忘记调整,易带来晶圆损坏的重大损失;并且对于设备巡检、控制,现有的设备需要巡检员到达厂房现场,对设备进行单台挨个巡检,效率极低。为此,需要设计一种新的技术方案给予解决。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体晶圆储存环境智能控制设备,解决了现有技术中库存半导体晶圆储存存储环境不容易控制且不方便工作人员进行管理的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体晶圆储存环境智能控制设备,包括服务端、操作端、晶圆柜体以及安装在晶圆柜体表面的控制设备,所述服务端通过互联网与操作端相连接,所述服务端通过线缆与控制设备相连接,所述控制设备包括壳体、设备主板、仪表盘、电磁阀、流量计、报警蜂鸣器和电源,所述设备主板、电磁阀、报警蜂鸣器和电源均固定连接在壳体的内部,所述仪表盘和流量计均固定连接在壳体的表面,所述电磁阀的输入端连接有氮气源,所述电磁阀的输出端与晶圆柜体相连通,所述电磁阀与晶圆柜体之间串联有流量计,所述控制设备还设有配合数据监测的温湿度传感器、氧含量传感器和接近开关传感器,所述温湿度传感器和氧含量传感器固定安装在晶圆柜体的内部,所述接近开关传感器固定连接在晶圆柜体表面的柜门处。
作为上述技术方案的改进,所述服务端由服务器、网络交换机和数据库组成,所述网络交换机和数据库分别通过线缆与服务器相连接。
作为上述技术方案的改进,所述服务端内部署有客户端,所述操作端通过安装相应的软件程序访问部署在服务端内的客户端。
作为上述技术方案的改进,所述操作端包括手机、平板、笔记本电脑或台式电脑中的一种或多种。
作为上述技术方案的改进,所述设备主板的表面焊接连接有网口模组和I/O串口模组,所述网口模组与网络交换机之间通过信号线相连接,所述I/O串口模组分别与温湿度传感器、氧含量传感器、接近开关传感器相连接。
作为上述技术方案的改进,所述控制设备与服务端之间采用socket长连接通信方式进行连接。
作为上述技术方案的改进,所述接近开关传感器的数量与晶圆柜体表面柜门的数量相同,所述接近开关传感器与柜门一一对应。
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