[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上由绝缘层和导体层交替层叠的堆栈，所述堆栈在平行于所述衬底的第一横向包括阵列区和与所述阵列区相邻的阶梯区，所述阶梯区在所述第一横向具有至少一个台阶结构；

覆盖所述台阶结构的第一氧化层；

位于所述第一氧化层表面的第二氧化层；

位于所述第二氧化层表面的第三氧化层，所述第三氧化层与所述第一氧化层的材料相同；

位于所述第三氧化层表面的第四氧化层，所述第四氧化层与所述第二氧化层的材料相同；

其中，所述第一氧化层和第三氧化层的填孔性能大于所述第二氧化层和第四氧化物层的填孔性能；所述第一氧化层和第三氧化层的应力大于所述第二氧化层和第四氧化层的应力。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度，所述第四氧化层的厚度大于所述第三氧化层的厚度，所述第四氧化层的表面至少与所述阵列区的堆栈表面齐平。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化层和第三氧化层包括采用高密度等离子体化学气相沉积形成的高密度等离子体氧化物，所述第二氧化层和第四氧化层包括采用等离子体增强化学气相沉积形成的正硅酸乙酯。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为300-500nm。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化层和第三氧化层在所述台阶结构的顶部，分别具有向上扩大的第一开口和第二开口。

6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成由绝缘层和牺牲层交替层叠的堆栈，所述堆栈在平行于所述衬底的第一横向包括阵列区和与所述阵列区相邻的阶梯区，所述阶梯区在所述第一横向具有至少一个台阶结构；

形成覆盖所述台阶结构的第一氧化层；

在所述第一氧化层的表面形成第二氧化层；

在所述第二氧化层的表面形成第三氧化层，所述第三氧化层与所述第一氧化层的材料相同；

在所述第三氧化层的表面形成第四氧化层，所述第四氧化层与所述第二氧化层的材料相同；

其中，所述第一氧化层和第三氧化层的填孔性能大于所述第二氧化层和第四氧化物层的填孔性能；所述第一氧化层和第三氧化层的应力大于所述第二氧化层和第四氧化层的应力。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度，所述第四氧化层的厚度大于所述第三氧化层的厚度，所述第四氧化层的表面至少与所述阵列区的堆栈表面齐平。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一氧化层和第三氧化层的步骤，包括：采用高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积高密度等离子体氧化物；形成所述第二氧化层和第四氧化层的步骤，包括：采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积正硅酸乙酯。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为300-500nm。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第二氧化层的步骤，还包括：对所述第二氧化层进行刻蚀，以在所述台阶结构的顶部形成向上扩大的第一开口；形成所述第三氧化层的步骤，还包括：通过控制高密度等离子体化学气相沉积中的沉积刻蚀比，在所述台阶结构的顶部形成向上扩大的第二开口。