[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法，第一支撑层横向支撑第一电极的侧壁的顶部，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上，掺碳的第一绝缘层具有较好的抗刻蚀能力，能够降低制备存储器时所述第一支撑层被其他刻蚀工艺破坏的程度，也即只有所述第一支撑层顶部被破坏，而所述第一支撑层的底部是完好的，可以保证所述第一支撑层的支撑效果；并且，虽然所述第一绝缘层掺碳会造成漏电，但是只有所述第一绝缘层掺碳，所述第二绝缘层是不掺碳的，相对现有技术可降低漏电情况，进而提高存储器的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory，以下简称为DRAM)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM是由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成的一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元可由一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，MOS)晶体管与一电容(capacitor)结构串联组成。

应产品需求，阵列区中的存储单元密度需持续提升，造成相关制作工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加。举例来说，当存储单元密度增加时，存储单元中的电容结构可占面积会相对缩小，而在电容量需维持在一定程度的要求下，电容结构需要向上延伸来增加电容结构中电极的面积。然而，在电容结构的高度增加的状况下，要制作出高宽比极大的电极层困难度很高，需要有支撑层支撑电极层，但是现有的支撑层容易漏电，导致DRAM的性能无法提升。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器及其形成方法，以解决现有的支撑层容易漏电，导致DRAM的性能受限的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器，包括：

衬底；

第一电极，设置于所述衬底上并向上延伸；

第一支撑层，横向支撑所述第一电极的侧壁的顶部，所述第一支撑层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上；

金属氧化物层，位于所述第一电极上并顺形的覆盖所述第一电极及所述第一支撑层的表面；以及，

第二电极，位于至少部分所述金属氧化物层上。

可选的，所述第一电极的顶部低于所述第一绝缘层的顶部。

可选的，所述第一电极的顶部高于所述第二绝缘层的顶部。

可选的，所述第一绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度。

可选的，所述第一绝缘层的侧壁具有台阶，且所述第一绝缘层及所述第一支撑层均呈凸字形。

可选的，所述第二绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度。

可选的，所述第一绝缘层的横向宽度与所述第二绝缘层的顶部的横向宽度相等。

可选的，所述第二绝缘层的侧壁具有台阶，且所述第二绝缘层及所述第一支撑层均呈凸字形。

可选的，所述第一电极与所述第二绝缘层的侧壁之间具有间隙，所述金属氧化物层覆盖所述间隙的侧壁或填充所述间隙。

可选的，所述第一绝缘层的横向宽度从底部到顶部的方向逐渐收缩。

可选的，所述第一绝缘层的材料为掺碳氮化硅或掺碳氧化硅。

可选的，所述第二绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任一种。

可选的，还包括：