[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

第一电极，设置于所述衬底上并向上延伸；

第一支撑层，横向支撑所述第一电极的侧壁的顶部，所述第一支撑层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上；

金属氧化物层，位于所述第一电极上并顺形的覆盖所述第一电极及所述第一支撑层的表面；以及，

第二电极，位于至少部分所述金属氧化物层上；

所述第二绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，所述第一电极与所述第二绝缘层的侧壁之间具有间隙，所述金属氧化物层填充所述间隙。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电极的顶部低于所述第一绝缘层的顶部。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电极的顶部高于所述第二绝缘层的顶部。

4.如权利要求1-3中任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一绝缘层的侧壁具有台阶，且所述第一绝缘层及所述第一支撑层均呈凸字形。

6.如权利要求1-3中任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一绝缘层的横向宽度与所述第二绝缘层的顶部的横向宽度相等。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第二绝缘层的侧壁具有台阶，且所述第二绝缘层及所述第一支撑层均呈凸字形。

8.如权利要求1-3中任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一绝缘层的横向宽度从底部到顶部的方向逐渐收缩。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为掺碳氮化硅或掺碳氧化硅。

10.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任一种。

11.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：

若干第二支撑层，横向支撑所述第一电极的侧壁，且均位于所述第一支撑层与所述衬底之间，所述金属氧化物层还顺形的覆盖所述第二支撑层的表面。

12.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

形成第一电极于所述衬底上，所述第一电极向上延伸；

形成第一支撑层于所述第一电极的侧壁，横向支撑所述第一电极的侧壁的顶部，所述第一支撑层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上；

形成金属氧化物层于所述第一电极上，所述金属氧化物层顺形的覆盖所述第一电极及所述第一支撑层的表面；以及，

形成第二电极于至少部分所述金属氧化物层上；

所述第二绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，所述第一电极与所述第二绝缘层的侧壁之间具有间隙，所述金属氧化物层填充所述间隙。