[发明专利]半导体器件及方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成从衬底延伸的鳍；

沿着所述鳍的相对侧壁形成第一隔离区域；

在所述鳍之上形成栅极结构；

在所述鳍中与所述栅极结构相邻地形成外延源极/漏极区域；

在所述外延源极/漏极区域之上和所述栅极结构之上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层之上形成保护层，所述保护层包括氮氧化硅；以及

在所述保护层之上形成第二隔离材料，其中，形成所述第二隔离材料降低了所述保护层的氮浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二隔离材料包括氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述保护层包括使用原子层沉积ALD工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第二隔离材料之后，所述保护层的氮原子百分比小于10％。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二隔离材料包括执行退火工艺，该退火工艺将所述保护层从氧氮化硅转化成氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层的厚度在1nm和3nm之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二隔离材料包括可流动化学气相沉积FCVD工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成延伸穿过所述第二隔离材料、所述保护层和所述蚀刻停止层而暴露所述外延源极/漏极区域的开口，以及在所述开口内沉积导电材料。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成从衬底突出的半导体鳍；

在所述半导体鳍之上形成栅极堆叠；

在所述半导体鳍上与所述栅极堆叠相邻地形成源极/漏极区域；

形成在所述源极/漏极区域和所述栅极堆叠之上延伸的第一电介质层；

在所述第一电介质层上形成第二电介质层，其中，所述第二电介质层是与所述第一电介质层不同的材料，其中，所述第二电介质层形成为具有第一氮原子百分比；

在所述第二电介质层上形成绝缘层，其中，所述绝缘层是与所述第二电介质层不同的材料；

执行退火工艺，其中，在执行所述退火工艺之后，所述第二电介质层具有第二氮原子百分比，所述第二氮原子百分比小于所述第一氮原子百分比；以及

在执行所述退火工艺之后，形成延伸穿过所述绝缘层、所述第二电介质层和所述第一电介质层而接触所述源极/漏极区域的导电特征。

10.一种半导体器件，包括：

鳍，从半导体衬底延伸；

栅极堆叠，在所述鳍之上并且沿着所述鳍的侧壁；

栅极间隔件，沿着所述栅极堆叠的侧壁和所述鳍的侧壁；

外延源极/漏极区域，在所述鳍中并且与所述栅极堆叠相邻；

氮化硅层，在所述外延源极/漏极区域和所述栅极间隔件之上延伸；

氮氧化硅层，在所述氮化硅层上；

绝缘层，在所述氮氧化硅层上；以及

接触件，穿过所述绝缘层、所述氧氮化硅层和所述氮化硅层延伸到所述外延源极/漏极区域。