[发明专利]一种化学气相沉积法制备薄膜装置在审
申请号: | 202011201511.1 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN112267104A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 张亚 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人: | 王军 |
地址: | 235100 安徽省淮北*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 法制 薄膜 装置 | ||
本发明涉及晶体制膜技术领域,且公开了一种化学气相沉积法制备薄膜装置,包括壳体,壳体的内底壁固定连接有第一弹簧,第一弹簧的另一端固定连接有载物台,载物台上设有基体本体,第一弹簧的左右两侧且位于壳体的内底壁均固定连接有两个套筒,实现两个套筒的内部固定连接有第二弹簧。本发明通过两侧所需气体进入舱内使得带动载物台升降使得舱内压强得到控制,解决了现有技术单侧进气导致薄膜厚度不一的问题,同时通过第一弹簧、第二弹簧、限位杆、磁铁之间的配合设置实现装置内通过自动沉积,自动化程度高无需手动控制沉积时间,增加基体侧壁的空气流通,解决了现有技术的台阶覆盖能力差的问题。
技术领域
本发明涉及晶体制膜技术领域,具体为一种化学气相沉积法制备薄膜装置。
背景技术
化学气相沉积法指的是把构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体,借助气相作用在基体表面的化学反应制得金属或化合物薄膜的方法。现有技术存在如下技术缺陷:第一、现有技术使用单侧进气法,但这种方法由于气流流过截面下降导致流速降低在基体表面聚集的薄膜厚度不一,影响了器件的正常使用;第二、封管法需要控制沉积时间,需工作人员对沉积过程中进行监控,效率低下;第三、在沉积过程中器件表面和侧壁的沉积速率不一导致台阶覆盖能力差,极大地影响了制膜的精度,造成大量原料浪费。
发明内容
针对背景技术中提出的现有装置在使用过程中存在的不足,本发明提供了一种化学气相沉积法制备薄膜装置,具备双侧进气同时缓冲反应室内气压、自动化程度高无需手动控制沉积时间、且台阶覆盖能力好的优点,解决了上述背景技术中提出的技术问题。
本发明提供如下技术方案:一种化学气相沉积法制备薄膜装置,包括壳体,所述壳体的内底壁固定连接有第一弹簧,所述第一弹簧的另一端固定连接有载物台,所述载物台上设有基体本体,所述第一弹簧的左右两侧且位于壳体的内底壁均固定连接有两个套筒,两个所述套筒的内部固定连接有第二弹簧,所述第二弹簧的下端固定连接在壳体的内底壁上,所述第二弹簧的另一端固定连接有第一磁铁,所述载物台的下端左右两侧表面开设有两个通道,两个所述通道内部滑动连接有限位块,两个所述限位块的下端均固定连接有第二磁铁,两个所述第二磁铁延伸至套筒的内部,两个所述第二磁铁的下端通过套筒贯穿连接有限位杆,所述限位杆的另一端延伸至壳体的外部,所述壳体左右两侧侧壁的上端贯穿连接有两个进气口,所述载物台的上端表面且位于基体本体的两侧开设有两个通孔,所述通道的左侧且位于载物台的内部开设有排气管道,所述排气管道的另一端通过壳体的底部侧壁延伸至壳体的外侧,所述载物台的左右两侧下端侧壁设有两个密封块,所述壳体的底壁外侧固定连接有真空泵。
优选的,所述第二磁铁的宽度值小于套筒的宽度值,且所述第二磁铁的斜面一侧宽度值等于限位杆右侧的斜面处宽度值。
优选的,所述排气管道的宽度值小于真空泵两侧的套筒的宽度值。
优选的,所述通道的宽度值等于限位块的宽度值。
优选的,所述密封块设置为耐磨光滑材质。
本发明具备以下有益效果:
1、本发明通过两侧所需气体进入舱内使得带动载物台升降使得舱内压强得到控制,同时通过第一弹簧、第二弹簧、载物台之间的配合设置实现双侧进气的舱内气压得到有效缓冲的效果,解决了现有技术单侧进气导致薄膜厚度不一的问题。
2、本发明通过载物台的下移将双侧进气的使得舱内压强得到有效缓冲,同时通过第一弹簧、第二弹簧、限位杆、磁铁之间的配合设置实现装置内通过自动沉积,满足封管法给与充足反应时长,自动化程度高无需手动控制沉积时间,解决了现有技术封管法需要控制沉积时间的问题。
3、本发明通过限位杆的限位作用使得载物台通道开启,同时通过第二弹簧、磁铁、限位块、出气管、真空泵之间的配合设置实现将舱内气体通过通道导出,增加基体侧壁的空气流通,解决了现有技术的台阶覆盖能力差的问题。
附图说明
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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