[发明专利]电池片的组合印刷方法以及电池片有效
申请号: | 202011185062.6 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112310245B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 来俊男;周国栋;钱伟华;潘鹏飞;张昕宇;金浩 | 申请(专利权)人: | 晶科能源(海宁)有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;B41M1/12;B41M3/00 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 组合 印刷 方法 以及 | ||
本发明实施例提供一种电池片的组合印刷方法以及电池片,电池片的组合印刷方法包括:提供电池片基板;先在电池片基板上印刷形成多个主栅,主栅相互平行,且在主栅的延伸方向上,每一主栅两侧均具有多个间隔设置的第一缺口;然后在电池片基板上印刷形成多个副栅,副栅的延伸方向垂直于主栅的延伸方向,在垂直于电池片基板的方向上,副栅的高度大于主栅的高度,且副栅至少位于相邻两个主栅之间,副栅的两端分别填充满相邻两个主栅的一个第一缺口。本发明实施例有利于在提升副栅高宽比的同时,降低主栅和副栅之间的高度差,提高主栅与副栅之间的电流传输效率。
技术领域
本发明实施例涉及光伏设备制造技术领域,特别涉及一种电池片的组合印刷方法以及电池片。
背景技术
目前的光伏行业中,丝网印刷技术被广泛用于形成太阳能电池片的栅线结构。太阳能电池片的栅线结构包括主栅和副栅,而在当前追求高效率低成本的太阳能电池片的趋势下,提升副栅的高宽比越来越受到重视。
然而在传统的丝网印刷工艺中,通常使用同种浆料对主栅和副栅同时印刷。为提高副栅的高度以降低副栅的传输电阻,主栅的高度也会随之增加,一方面主栅高度的增加会增加浆料的消耗以及成本,另一方面主栅高度过高会造成组件焊接碎片增加,容易导致太阳能电池片报废。为此,可以通过将主栅高度做低,副栅高度做高以避免造成焊接碎片,但主栅和副栅之间的高度差过大也会导致电池片与电池片之间的焊接良率低,且主栅高度的减小使得主栅和副栅的接触面积降低,从而降低主栅和副栅之间的电流传输效率。
发明内容
本发明实施例解决的技术问题为提供一种电池片的组合印刷方法以及电池片,解决在提升副栅高宽比的同时,主栅和副栅之间高度差过大和电流传输效率低的问题。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种电池片的组合印刷方法,包括:提供电池片基板;先在所述电池片基板上印刷形成多个主栅,所述主栅相互平行,且在所述主栅的延伸方向上,每一所述主栅两侧均具有多个间隔设置的第一缺口;然后在所述电池片基板上印刷形成多个副栅,所述副栅的延伸方向垂直于所述主栅的延伸方向,在垂直于所述电池片基板的方向上,所述副栅的高度大于所述主栅的高度,且所述副栅至少位于相邻两个所述主栅之间,所述副栅的两端分别填充满相邻两个所述主栅的一个所述第一缺口。
另外,在所述电池片基板上印刷形成多个主栅的步骤包括:采用第一丝网印刷图形形成所述主栅,所述第一丝网印刷图形包括多个沿所述电池片基板的第一方向延伸的第一长条状图形,所述长条状图形相互平行,且所述长条状图形的两侧均具有多个相互间隔设置的第二缺口,所述第二缺口用于在所述电池片基板上印刷所述第一缺口。
另外,所述副栅包括底层副栅和顶层副栅;在所述电池片基板上印刷形成多个副栅的步骤包括:采用第二丝网印刷图形形成所述底层副栅,所述第二丝网印刷图形包括多个沿所述电池片基板的第二方向延伸的第二长条状图形,且所述第二方向垂直于所述第一方向,多个所述第二长条状图形呈规则阵列式排布,且所述第二长条状图形在所述电池片基板上的正投影覆盖所述第二缺口在所述电池片基板上的正投影;采用第三丝网印刷图形在所述底层副栅远离所述电池片基板一侧形成所述顶层副栅,所述第三丝网印刷图形包括多个沿所述第二方向延伸的第三长条状图形,多个所述第三长条状图形呈规则阵列式排布,且所述第三长条状图形在所述电池片基板上的正投影位于所述第二长条状图形在所述电池片基板上的正投影中。
另外,在沿所述第一方向上,所述第二长条状图形的宽度大于所述第二缺口的宽度,且所述第三长条状图形的宽度小于所述第二长条状图形的宽度;在沿所述第二方向上,所述第二长条状图形的长度大于位于相邻所述第一长条状图形的相邻所述第二缺口之间的间隔,且所述第三长条状图形的长度小于所述第二长条状图形的长度。
另外,采用烧穿型浆料印刷形成所述底层副栅。
另外,采用不烧穿型浆料印刷形成所述主栅和所述顶层副栅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的