[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

从衬底延伸的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍包括第一凹槽，并且所述第二鳍包括第二凹槽；

隔离区域，围绕所述第一鳍并围绕所述第二鳍；

栅极堆叠，位于所述第一鳍和所述第二鳍之上；以及

源极/漏极区域，位于所述第一凹槽和所述第二凹槽中，所述源极/漏极区域邻近所述栅极堆叠，其中，所述源极/漏极区域包括从所述第一鳍延伸到所述第二鳍的底表面，其中，所述底表面的位于所述隔离区域上方的第一高度以下的第一部分具有第一斜率，并且其中，所述底表面的位于所述第一高度以上的第二部分具有第二斜率，所述第二斜率大于所述第一斜率。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述底表面的第一部分具有{111}晶面。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二斜率在54.7°和90°之间。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，从所述源极/漏极区域的顶表面到所述底表面的第一竖直距离小于从所述源极/漏极区域的顶表面到所述第一凹槽的底部的第二竖直距离的一半。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述源极/漏极区域的在所述第一鳍和所述第二鳍之上延伸的顶表面是平坦的。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述底表面的第二部分包括至少两个不同晶面的多个小平面。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述源极/漏极区域还包括相对侧壁，其中，在所述第一高度以下，所述侧壁是{111}晶面的小平面。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，从所述隔离区域上方的第二高度延伸到所述源极/漏极区域的顶表面的所述源极/漏极区域的上侧壁是{111}晶面的小平面，其中，所述第二高度高于所述第一高度。

9.一种半导体结构，包括：

第一鳍，位于半导体衬底之上；

第二鳍，位于所述半导体衬底之上，所述第二鳍与所述第一鳍相邻；

隔离区域，围绕所述第一鳍和所述第二鳍；

栅极结构，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁并且位于所述第一鳍和所述第二鳍的上表面之上；以及

源极/漏极区域，位于所述第一鳍和所述第二鳍上，邻近所述栅极结构，所述源极/漏极区域包括位于所述第一鳍和所述第二鳍之间的底表面，其中，所述底表面包括下表面和上表面，其中，所述下表面是第一晶面的小平面，所述第一晶面的小平面从所述底表面的底部延伸到处于所述隔离区域上方的第一高度的第二晶面的小平面，其中，所述上表面从所述第一高度延伸到所述底表面的最上部，其中，所述上表面包括所述第一晶面的小平面和所述第二晶面的小平面。

10.一种用于形成半导体结构的方法，包括：

形成从半导体衬底突出的多个鳍；

形成围绕所述多个鳍的隔离区域；

在所述多个鳍之上形成栅极结构；以及

形成与所述栅极结构相邻并在所述多个鳍之上延伸的外延源极/漏极区域，包括：

执行第一沉积工艺以在所述多个鳍上沉积第一外延材料，其中，所述第一外延材料的在相邻鳍上的底表面在所述隔离区域上方的第一高度处融合；

对所述第一外延材料执行蚀刻工艺，其中，所述蚀刻工艺蚀刻所述第一外延材料的底表面；以及

在执行所述蚀刻工艺之后，执行第二沉积工艺以在所述第一外延材料上沉积第二外延材料，所述外延源极/漏极区域包括所述第一外延材料和所述第二外延材料，其中，在执行所述第二沉积工艺之后，所述外延源极/漏极区域的在相邻鳍之间的底表面在所述隔离区域上方延伸第二高度，所述第二高度大于所述第一高度。