[发明专利]一种微机电探针及制作方法有效

专利信息
申请号: 202011162214.0 申请日: 2020-10-27
公开(公告)号: CN112362925B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 陶克文;罗雄科 申请(专利权)人: 上海泽丰半导体科技有限公司
主分类号: G01R1/067 分类号: G01R1/067;G01R31/26;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 代理人: 杨用玲
地址: 200233 上海市徐*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 微机 探针 制作方法
【说明书】:

发明的技术领域为半导体测试领域,提供了一种微机电探针及制作方法,其方法包括步骤:在位于承载板的双牺牲胶层中第一牺牲胶层上进行磁控真空溅射金属种子层;在所述金属种子层上旋涂光刻胶层形成所述双牺牲胶层的第二牺牲胶层,并制作微机电探针层;通过不同的分离方式剥除所述第一牺牲胶层、所述金属种子层和所述第二牺牲胶层,以获得微机电探针。本发明使用特殊设计的双牺牲层剥离结构,在双牺牲层之间溅射金属导电种子层,剥离时采用金属差分蚀刻及特殊设计的底胶剥离工艺,使探针与载板剥离时无需施加机械力,金属结构剥离不会产生随机额外变形与应力,提高大规模制备微机电探针的均一性与一致性,显著提高微机电探针的疲劳使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体测试领域,尤指一种微机电探针及制作方法。

背景技术

现有的探针技术都起源于上世纪,但由于工艺方面的限制,制作同时满足高密度、细间距、小尺寸和平行度好的可靠探针卡是一件非常困难的事情。基于MEMS技术可以批量制作一致性好、精度高的微米纳米尺寸结构,将MEMS技术应用在探针中能打破传统工艺的限制,从而满足高密度、细间距的阵列排布以及高频测试等测试需求。通过将传统探针的测试原理、几何结构与MEMS技术的优势相结合,MEMS探针作为新一代探针技术正在发展。

传统垂直探针是通过对特定合金进行拉丝工艺得到的。对于间距小于80mm的垂直探针,使用传统方法得到良好一致性的小于25.4Um直径的材料是极大的挑战。而微纳米制造技术(Micro/Nano Manufacturing Technology)主要使用物理和化学的方法来进行加工,可以轻松打破传统方法的限制来制作微米、纳米级结构。其中的微机电系统(Microelectromechanical Systems,MEMS)制造技术被广泛用于制作微执行器、微传感器和微系统。通过MEMS技术制作的微机电探针是能够应对单位面积上的高I/O数量和越来越小的I/OPad间距的新型探针。

但是,传统微机电探针制造工艺中使用蒸发镀膜的方式获得金属种子层,此种镀膜层间结合力较弱,常用于进行使电极与基底载板分离,但在多次制程工艺的冷热冲击下容易产生开裂分层等不良,探针与载板分离时需克服蒸发膜层的结合应力,造成探针针体存在不均匀机械应力与形变等,以致降低了探针的疲劳寿命。

发明内容

本发明的目的是提供一种微机电探针及制作方法,使用特殊设计的双牺牲层剥离结构,在双牺牲层之间溅射金属导电种子层,剥离时采用金属差分蚀刻及特殊设计的底胶剥离工艺,使探针与载板剥离时无需施加机械力,金属结构剥离也不会产生随机额外变形与应力,提高大规模制备微机电探针的均一性与一致性,可以显著提高微机电探针的疲劳使用寿命。

本发明提供的技术方案如下:

一种微机电探针制作方法,包括步骤:

在位于承载板的双牺牲胶层中第一牺牲胶层上进行磁控真空溅射金属种子层;

在所述金属种子层上旋涂光刻胶层形成所述双牺牲胶层的第二牺牲胶层,并制作微机电探针层;

通过不同的分离方式剥除所述第一牺牲胶层、所述金属种子层和所述第二牺牲胶层,以获得微机电探针;

其中,所述金属种子层作为电铸导通层,并在所述第二牺牲胶层光刻及显影时隔离保护所述第一牺牲胶层。

进一步优选地,在所述在位于承载板的双牺牲胶层中第一牺牲胶层上进行磁控真空溅射金属种子层之前,包括步骤:

制作承载板;

通过旋涂工艺在承载板的上层涂牺牲胶,以使牺牲胶层的厚度与微电机探针层的厚度呈预设比例,并进行软烘及坚膜烘烤,形成所述第一牺牲胶层;

其中,所述第一牺牲胶层包括非光敏耐高温易剥离胶层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海泽丰半导体科技有限公司,未经上海泽丰半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011162214.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top