[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储块；

外围电路，该外围电路被配置为对所述存储器单元阵列执行编程操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制由所述外围电路执行的所述编程操作，

其中，所述多个存储块中的每一个存储块联接到与该存储块对应的漏极选择线、多条字线以及第一源极选择线和第二源极选择线，并且

其中，在对所述多个存储块当中的被选为编程目标的第一存储块执行的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以使得所述多个存储块当中的未被选为编程目标的第二存储块的第一源极选择线浮置。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，

所述编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括预充电阶段、编程阶段和验证阶段，

所述第一存储块和所述第二存储块联接到公共源极线，

所述第一源极选择线被设置为比所述第二源极选择线更靠近所述公共源极线，并且

在所述预充电阶段中，所述控制逻辑控制所述外围电路以使得与所述第二存储块联接的所述第一源极选择线浮置并且接地电压被施加到与所述第二存储块联接的第二源极选择线。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，在所述预充电阶段中，所述控制逻辑控制所述外围电路以使得所述接地电压被施加到与所述第二存储块联接的漏极选择线。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，在所述预充电阶段中，所述控制逻辑控制所述外围电路以使得在与所述第二存储块联接的所述第一源极选择线浮置的状态下，预充电电压被施加到所述公共源极线。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述外围电路包括：

第一选择线控制开关，该第一选择线控制开关被配置为将所述第一存储块的第一源极选择线选择性地联接到第一选择接地线并且将所述第一存储块的第二源极选择线和漏极选择线选择性地联接到第二选择接地线；以及

第二选择线控制开关，该第二选择线控制开关被配置为将所述第二存储块的所述第一源极选择线选择性地联接到所述第一选择接地线并且将所述第二存储块的所述第二源极选择线和漏极选择线选择性地联接到所述第二选择接地线。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，

在对所述第一存储块执行的所述编程操作期间，所述第一选择线控制开关被停用，并且

在对所述第一存储块执行的所述编程操作期间，所述第二选择线控制开关被启用，然后被配置为将所述第二存储块的所述第一源极选择线电联接到所述第一选择接地线并且将所述第二存储块的所述第二源极选择线和所述漏极选择线电联接到所述第二选择接地线。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，在对所述第一存储块执行的所述编程操作期间的所述预充电阶段中，所述第一选择接地线浮置。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，在对所述第一存储块执行的所述编程操作期间的所述预充电阶段中，所述接地电压被施加到所述第二选择接地线。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个存储块中的每一个还联接到第三源极选择线，并且所述第三源极选择线被插置在所述第一源极选择线和所述第二源极选择线之间。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，在对所述多个存储块当中的被选为编程目标的所述第一存储块执行的所述编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以使得所述多个存储块当中的未被选为编程目标的所述第二存储块的第三源极选择线浮置。