[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

沉积第一电极层；

在所述第一电极层上方沉积第一选择器层；

在所述第一选择器层上方形成第二电极层；

执行第一图案化工艺，其中，将所述第一电极层、所述第一选择器层和所述第二电极层分别图案化为第一电极条、第一选择器条和第二电极条；

在所述第二电极条上方沉积存储器层；

在所述存储器层上方沉积第三电极层；以及

执行第二图案化工艺，其中，将所述第三电极层和所述存储器层分别图案化为第三电极条和存储器条，其中，将所述第二电极条和所述第一选择器条分别图案化为第一电极阵列和第一选择器阵列，并且其中，每个所述存储器条与所述第一选择器阵列中的多个选择器重叠。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一图案化工艺之后，将介电区域填充到所述第一电极条、所述第一选择器条和所述第二电极条之间的间隙中；以及

执行平坦化工艺，其中，所述第二电极条在所述平坦化工艺中用作抛光停止层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二图案化工艺在所述第一电极条的顶面上停止。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成多个导电通孔，所述多个导电通孔中的每个位于所述第三电极条中的一个上面并且接触所述第三电极条中的一个，其中，在形成所述多个导电通孔之后，每个所述存储器条是具有与所述第一电极阵列中的多个电极重叠的部分的连续条。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述存储器层包括沉积相变材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述存储器层包括沉积氧化物。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在沉积所述第三电极层之前，沉积第二选择器层，其中，在所述第二图案化工艺中，将所述第二选择器层图案化为第二选择器条。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在沉积所述第三电极层之前，在所述第二选择器层上方沉积附加存储器层：

在所述附加存储层上方沉积第四电极层；以及

执行第三图案化工艺，其中，将所述第四电极层和所述附加存储器层分别图案化为第四电极条和附加存储器条。

9.一种半导体器件，包括：

多个第一导电条，具有在第一方向上的纵向方向；

第一选择器阵列，与所述多个第一导电条重叠；

第一电极阵列，与所述第一选择器阵列重叠；

多个第一存储器条，位于所述第一电极阵列上方；以及

多个第二导电条，与所述多个第一存储器条重叠，其中，所述多个第一存储器条和所述多个第二导电条具有在垂直于所述第一方向的第二方向上的纵向方向，并且其中，所述多个第一存储器条中的每个与所述第一选择器阵列中的多个选择器重叠。

10.一种半导体器件，包括：

第一电极阵列；

多个第一存储器条，所述多个第一存储器条中的每个与所述第一电极阵列的列重叠；

多个第一导电条，所述多个导电条中的每个与所述多个第一存储器条中的一个重叠并且接触；

第二电极阵列，与所述多个第一导电条重叠；

多个第二存储器条，位于所述第二电极阵列上方，其中，所述多个第二存储器条中的每个与所述第二电极阵列的行中的多个电极重叠；以及

多个第二导电条，所述多个第二导电条中的每个与所述多个第二存储器条中的一个重叠。