[发明专利]发光二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管器件，其特征在于，包括：

基板；

台面结构，所述台面结构包括由第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层顺序排列所构成的半导体外延层，所述第二类型半导体层位于靠近所述基板的一侧，所述第一类型半导体层背对所述基板的表面配置有粗糙部；

功能层，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述半导体外延层连接，所述第二表面与所述基板连接；所述半导体外延层的面积小于所述功能层的面积；

保护层，其配置为：至少覆盖所述功能层的第一表面除所述半导体外延层之外的区域。

2.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述粗糙部的面积等于设有该粗糙部的所述表面的面积；所述保护层覆盖的区域还包括：所述半导体外延层的至少部分侧壁；位于所述半导体外延层的部分侧壁的所述保护层为环状结构。

3.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述粗糙部的面积小于设有该粗糙部的所述表面的面积；所述保护层覆盖的区域还包括：所述半导体外延层的全部侧壁，以及所述设有粗糙部的第一类型半导体层表面除粗糙部以外的区域。

4.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述粗糙部的面积小于设有该粗糙部的所述表面的面积；所述保护层覆盖的区域还包括：所述基板的至少部分侧壁、所述半导体外延层的全部侧壁、以及所述设有粗糙部的第一类型半导体层表面除粗糙部以外的区域。

5.根据权利要求3所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第一类型半导体层表面被所述保护层覆盖的那部分的高度大于所述粗糙部的高度。

6.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述保护层由原子层沉积法制备得到，且所述保护层作为抗蚀刻层，用于在形成所述粗化部过程中保护所述功能层。

7.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述保护层的制备材料为氧化硅、氮化硅、氮化硅的一种或多种，或所述保护层的制备材料为金属。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的发光二极管器件，其特征在于，所述功能层包括反射层，所述反射层与所述第二类型半导体层接触；且所述反射层距所述基板侧壁的距离小于所述半导体外延层距所述基板侧壁的距离。

9.根据权利要求8所述的发光二极管器件，其特征在于，所述功能层还包括透明导电层和第一氧化层，所述透明导电层和第一氧化层均位于所述半导体外延层与所述反射层之间，且所述第一氧化层包覆在所述透明导电层的外围；所述第一氧化层的底部设有连通所述反射层和所述透明导电层的预留缝，所述预留缝内填充与所述反射层材质相同的介质。

10.根据权利要求8所述的发光二极管器件，其特征在于，所述反射层的制备材料为银。

11.根据权利要求8所述的发光二极管器件，其特征在于，所述功能层还包括位于所述反射层与所述基板之间的金属层，所述金属层包括与所述第一类型半导体层导通的导电柱。

12.根据权利要求11所述的发光二极管器件，其特征在于，所述反射层与所述金属层之间还设有导电层，且所述导电层的面积大于所述反射层的面积；所述导电层朝向所述半导体外延层的表面连接有接触电极。

13.根据权利要求12所述的发光二极管器件，其特征在于，所述导电层与所述金属层之间包括第二氧化层。

14.根据权利要求12所述的发光二极管器件，其特征在于，还包括绝缘层；所述绝缘层覆盖所述半导体外延层表面、侧壁及部分所述保护层，并露出所述接触电极。