[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

本公开实施例提供一种设备、半导体装置及其制造方法，其中硬遮罩与一或多个蚀刻停止层在一蚀刻腔室中被蚀刻。在一实施例中，将半导体装置放在位于一第一高度的安装平台上并执行蚀刻工艺，然后将半导体装置移动到腔室内的一第二高度并执行第二蚀刻工艺，其中在移动过程中半导体装置的旋转速度被降低，以减少交叉污染的机会。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体制造技术，特别涉及一种去除硬遮罩和蚀刻停止层的蚀刻工艺技术。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用中，举例来说，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造一般是通过在半导体基板上按序地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料，并使用光刻和蚀刻工艺将各种材料层图案化，以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过持续降低最小特征(feature)尺寸，以持续改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等等)的集成密度，使得更多的组件可集成于既定面积中。然而，随着最小特征尺寸的缩小，所使用的每个工艺中都会出现额外的问题，而这些额外的问题需要被解决。

发明内容

本公开一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括在一半导体基板上方沉积一蚀刻停止层。所述方法还包括在蚀刻停止层上方沉积一介电层。所述方法还包括在蚀刻停止层上方沉积一硬遮罩(hard mask)层。所述方法还包括使用硬遮罩层对介电层进行图案化，并暴露蚀刻停止层。所述方法还包括施加一第一蚀刻剂以去除硬遮罩层。此外，所述方法包括施加一第二蚀刻剂以去除蚀刻停止层的一部分，其中施加第一蚀刻剂和施加第二蚀刻剂是在同一蚀刻腔室中进行。

本公开一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括将一半导体基板放在位于一第一位置的一安装平台上，所述第一位置具有一第一高度。所述方法还包括在安装平台上方分配一第一蚀刻剂，以去除半导体基板上方的一硬遮罩层的至少一部分。所述方法还包括移动安装平台到一第二位置，所述第二位置具有不同于第一高度的一第二高度。此外，所述方法包括在安装平台上方分配一第二蚀刻剂，以去除半导体基板上方的一蚀刻停止层的至少一部分，其中蚀刻停止层通过一介电层与硬遮罩层分开。

本公开一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括在一半导体基板上方分配一第一蚀刻剂，以蚀刻半导体基板上方的一硬遮罩层或一蚀刻停止层中的一者，其中在半导体基板以一第一速度转动时，在一第一蚀刻腔室中分配第一蚀刻剂。所述方法还包括将第一速度降低到一第二速度。所述方法还包括在半导体基板以第二速度转动时，调整在第一蚀刻腔室中的半导体基板的高度。所述方法还包括将第二速度提高到一第三速度。此外，所述方法包括在第一蚀刻腔室中的半导体基板的上方分配一第二蚀刻剂，以蚀刻硬遮罩层或蚀刻停止层中的另一者，其中在半导体基板以第三速度转动时，分配第二蚀刻剂。

附图说明

图1示出根据一些实施例的介电层的图案化。

第2A至2C图示出根据一些实施例的第一分散(dispersal)工艺。

图3示出根据一些实施例的半导体装置的第一移动。

图4示出根据一些实施例的第二分散工艺。

图5示出根据一些实施例的半导体装置的第二移动。

第6A至6B图示出根据一些实施例的第三分散工艺。

图7示出根据一些实施例的半导体装置的第三移动。

图8示出根据一些实施例的第四分散工艺。

图9示出根据一些实施例的互连结构(interconnect)的形成。

附图标记说明如下：

100：半导体装置

101：半导体基板

103：主动装置