[发明专利]一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置

权利要求书

1.一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，包括壳体(1)和净化装置(20)，其特征在于：所述壳体(1)左端设置有加热端头(2)，且加热端头(2)内壁安置有加热丝(3)，所述加热端头(2)左端连接有进气端头(4)，且进气端头(4)左端连接有第一单向阀(5)，所述壳体(1)内部安置有冷凝管(6)，且冷凝管(6)外壁固定有铜片(7)，所述铜片(7)末端连接有导流片(8)，且导流片(8)的下方壳体(1)内壁的上表面固定有导流底板(9)，所述壳体(1)下表面设置有排水口(10)，且排水口(10)下端连接有收集罐(11)，所述冷凝管(6)右方固定有第一隔板(12)，且第一隔板(12)外表面开设有通气口(13)，所述壳体(1)内部靠近第一隔板(12)右侧安置有干燥箱(14)，且干燥箱(14)内部设置有干燥球(15)，所述干燥箱(14)上端设置有箱盖(16)，且干燥箱(14)底端下表面设置有封板(17)，所述干燥箱(14)右侧固定有第二隔板(18)，且壳体(1)上表面位于干燥箱(14)和第二隔板(18)间隙处连接有弯管(19)，所述净化装置(20)安置于第二隔板(18)右侧，所述净化装置(20)包括箱壳(2001)、螺杆(2002)、压板(2003)和过滤片(2004)，所述箱壳(2001)内部连接有螺杆(2002)，且螺杆(2002)外表面设置有压板(2003)，所述压板(2003)下表面安置有过滤片(2004)，所述箱壳(2001)与第二隔板(18)之间为卡合连接，且箱壳(2001)与壳体(1)之间为活动连接，而且箱壳(2001)的竖直中心线与螺杆(2002)的竖直中心线相重合，所述压板(2003)通过螺杆(2002)与箱壳(2001)之间构成升降结构，且压板(2003)的下表面与过滤片(2004)的上表面紧密贴合，所述壳体(1)下表面靠近净化装置(20)的一方连接有出气端头(21)，且出气端头(21)下端连接有第二单向阀(22)，所述第二单向阀(22)下端连接有流量计(23)。

2.根据权利要求1所述的一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，其特征在于：所述加热端头(2)内壁环绕分布有加热丝(3)，且加热端头(2)通过进气端头(4)与第一单向阀(5)之间构成固定连接，而且加热端头(2)与壳体(1)之间构成焊接一体化结构。

3.根据权利要求1所述的一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，其特征在于：所述进气端头(4)与第一单向阀(5)之间为螺纹连接，且进气端头(4)的中垂线与加热端头(2)的中垂线相重合。

4.根据权利要求1所述的一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，其特征在于：所述导流片(8)关于冷凝管(6)的竖直中心线呈对称分布，且冷凝管(6)外壁环绕分布有铜片(7)，而且导流片(8)与铜片(7)之间构成半包围结构。

5.根据权利要求1所述的一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，其特征在于：所述导流底板(9)呈倾斜结构，且导流底板(9)与第一隔板(12)之间呈垂直分布，而且第一隔板(12)外表面均匀开设有通气口(13)。

6.根据权利要求1所述的一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，其特征在于：所述干燥箱(14)外表面呈网口状，且干燥箱(14)的网口直径小于干燥球(15)的外口直径。

7.根据权利要求1所述的一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，其特征在于：所述封板(17)与干燥箱(14)之间为活动连接，且干燥箱(14)通过箱盖(16)与壳体(1)之间为固定结构。