[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

存储器单元阵列，包括多条字线；

外围电路，通过所述多条字线耦合至所述存储器单元阵列，并且被配置为在编程操作期间向所述多条字线中的所选字线施加编程电压，并且向所述多条字线中的未选择字线施加通过电压；以及

控制逻辑，被配置为控制所述外围电路，以在所述编程操作的第一编程操作期间向所述未选择字线中与所述所选字线相邻的字线施加第一通过电压以及在所述编程操作的第二编程操作期间向与所述所选字线相邻的所述字线施加第二通过电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一通过电压大于所述第二通过电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述控制逻辑设置所述第一编程操作的编程电压施加时间和所述第二编程操作的编程电压施加时间，使得所述第一编程操作的编程电压施加时间长于所述第二编程操作的编程电压施加时间。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第一编程操作是模糊编程操作，并且所述模糊编程操作是将所述存储器单元阵列中包括的存储器单元的阈值电压编程为等于或大于预阈值电压的值的操作，所述预阈值电压小于目标阈值电压。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中所述第二编程操作是精细编程操作，并且所述精细编程操作是将所述存储器单元的阈值电压编程为所述目标阈值电压的值和大于所述目标阈值电压的电压的值中的一个值的操作。

6.一种半导体存储器装置，包括：

存储器单元阵列，包括多条字线；

外围电路，通过所述多条字线耦合至所述存储器单元阵列，并且被配置为在编程操作期间向所述多条字线中的所选字线施加编程电压，并且向所述多条字线中的未选择字线施加通过电压；以及

控制逻辑，被配置为控制所述外围电路，以在所述编程操作的第一编程操作期间在第一时间内执行向所述多条字线施加所述编程电压和所述通过电压的编程电压施加操作，以及在所述编程操作的第二编程操作期间在第二时间内执行所述编程电压施加操作。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中所述第一时间大于所述第二时间。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中所述控制逻辑控制所述外围电路，以在所述第一编程操作的所述编程电压施加操作期间向所述未选择字线中与所述所选字线相邻的字线施加第一通过电压，并且向所述未选择字线中的剩余未选择字线施加第二通过电压。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，

其中所述控制逻辑控制所述外围电路，以在所述第二编程操作的所述编程电压施加操作期间向与所述所选字线相邻的所述字线施加第三通过电压，并且向所述剩余未选择字线施加所述第二通过电压，并且

其中所述第一通过电压大于所述第三通过电压。

10.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中所述第一编程操作是模糊编程操作，并且所述模糊编程操作是将所述存储器单元阵列中包括的存储器单元的阈值电压编程为等于或大于预阈值电压的值的操作，所述预阈值电压小于目标阈值电压。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中所述第二编程操作是精细编程操作，并且所述精细编程操作是将所述存储器单元的阈值电压编程为所述目标阈值电压的值和大于所述目标阈值电压的电压的值中的一个值的操作。