[发明专利]一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法

权利要求书

1.一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，其特征在于，步骤如下：

步骤1)将无水乙醇与酚醛树脂混合后，用磁力搅拌器搅拌至完全溶解，得到A溶液；

步骤2)在A溶液中加入氧化物陶瓷粉末，经磁力搅拌器搅拌均匀，得到B溶液；

步骤3)在B溶液中加入六水和硝酸镍和氯化物，经磁力搅拌器搅拌均匀，得到C溶液；

步骤4)将C溶液倒入模具中，放入鼓风干燥箱中进行固化处理，得到块状前驱体；

步骤5)将固化好的块状前驱体放入管式炉的刚玉管中进行热处理，并通入氩气进行气氛保护，即得到多孔碳化物晶须预制体。

2.根据权利要求1所述的一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，其特征在于，步骤1)中，无水乙醇和酚醛树脂的质量比为10～15：10。

3.根据权利要求1所述的一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，其特征在于，步骤2)中，氧化物陶瓷粉末加入的量为A溶液质量的30％-120％，氧化物陶瓷粉末为二氧化钛、二氧化铪、氧化锆或氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，其特征在于，步骤3)中，六水和硝酸镍和氯化物摩尔比为1：10，加入六水和硝酸镍的量是B溶液质量的3％～5％，氯化物的量是B溶液质量的8％～12％。

5.根据权利要求1所述的一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，其特征在于，步骤3)中，氯化物为KCl、LiCl、NaCl、CaCl₂或MgCl₂。

6.根据权利要求1所述的一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，其特征在于，步骤4)中，固化处理程序为：首先在80℃烘干12h，再120℃烘干3h后，然后150℃烘干1h，最后180℃烘干3h。

7.根据权利要求1所述的一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，其特征在于，步骤5)中，热处理的过程为：首先以5℃/min～8℃/min的速率，升至400℃～600℃，保温30min～60min，此保温过程促进酚醛树脂裂解发生；然后以5℃/min～8℃/min的升温速率升至700℃～1100℃，再以1℃/min～2℃/min的速率升至1350℃～1500℃，保温60min～90min后，此保温过程促进碳热还原反应发生；最后以1℃/min～2℃/min的速率降至1400℃，再以5℃/min～8℃/min降至室温。

8.根据权利要求7所述的一种原位自生弥散分布碳化物晶须预制体的制备方法，其特征在于，步骤5)中，在热处理过程中，压力保持在0～0.02MPa之间。