[发明专利]压环组件及半导体工艺腔室在审
申请号: | 202011033793.9 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN112151436A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 和长见;张超 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;H01J37/305;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 半导体 工艺 | ||
1.一种压环组件,所述压环组件与卡盘配合使用,所述压环组件通过升降装置将托盘固定在所述卡盘上,其特征在于,所述压环组件包括静电组件和绝缘的压环本体,其中,所述压环本体用于与所述托盘接触,且所述压环本体上设置有通孔,所述通孔用于暴露所述托盘上所承载的晶片;
所述静电组件与所述压环本体连接,用于使所述压环本体产生静电吸附力,以通过所述压环本体对所述托盘进行吸附,以及所述静电组件还用于将所述压环本体的静电吸附力消除,以释放所述托盘。
2.根据权利要求1所述的压环组件,其特征在于,所述压环组件还包括直流电源,所述静电组件包括电极部件,其中,所述直流电源与所述电极部件电连接,并用于向所述电极部件提供直流电;
所述电极部件设置在所述压环本体中,所述电极部件能够在其通有直流电时,使所述压环本体产生静电吸附力。
3.根据权利要求2所述的压环组件,其特征在于,所述通孔和所述托盘上所承载的所述晶片一一对应设置,所述电极部件分布在所述压环本体的所述通孔之外的部分。
4.根据权利要求3所述的压环组件,其特征在于,各所述通孔中均设置有环形的挡环,所述挡环沿所述通孔的周向环绕设置,并与所述压环本体连接,用于遮挡所述通孔侧壁位置处的所述电极部件。
5.根据权利要求3所述的压环组件,其特征在于,所述电极部件的边缘轮廓位于所述压环本体的边缘轮廓之内。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的压环组件,其特征在于,所述电极部件为单电极,所述单电极为金属材质钨。
7.根据权利要求1所述的压环组件,其特征在于,所述压环本体的边缘设置有至少一个连接凸部,所述连接凸部用于连接所述升降装置。
8.根据权利要求7所述的压环组件,其特征在于,所述连接凸部数量为多个,且所有的所述连接凸部沿所述压环本体的周向间隔分布。
9.一种半导体工艺腔室,包括反应腔室、托盘、卡盘和升降装置,所述卡盘设置于所述反应腔室内用于承载所述托盘,其特征在于,还包括如权利要求1-8中任一项所述的压环组件,所述压环本体通过所述升降装置移动用以将所述托盘固定在所述卡盘上。
10.根据权利要求9所述的半导体工艺腔室,其特征在于,所述升降装置的固定部设置于所述反应腔室的外部,所述升降装置的驱动部伸入所述反应腔室内,并与所述压环本体连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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