[发明专利]一种光刻图形的制造方法与制造系统

权利要求书

1.一种光刻图形的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成一光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光处理，以在所述光刻胶上形成第一区和第二区；

采用显影液对所述光刻胶进行多次显影处理，以使所述显影液去除所述第一区或所述第二区，以形成所述光刻图形；

其中，所述显影处理包括：

向所述光刻胶喷涂所述显影液；

所述显影液与所述第一区或所述第二区反应；

其中，向所述光刻胶喷涂所述显影液的过程至少包括第一喷涂过程，第二喷涂过程和第三喷涂过程；

其中，在每次所述显影处理之后，还包括去除与所述第一区或所述第二区反应的所述显影液。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一喷涂过程的喷涂时间小于所述第三喷涂过程的喷涂时间，所述第三喷涂过程的喷涂时间小于第二过程的喷涂时间。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一喷涂过程，所述第二喷涂过程及所述第三喷涂过程中，所述基底处于旋转状态。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述第一喷涂过程中，所述晶基底的转速为第一转速；在所述第二喷涂过程中，所述基底的转速为第二转速；在所述第三喷涂过程中，所述基底的转速为第三转速；所述第一转速等于所述第二转速，所述第二转速大于所述第三转速。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，还包括第四喷涂过程，所述第四喷涂过程的喷涂时间大于所述第二喷涂过程的喷涂时间。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述显影液与所述第一区或所述第二区反应的过程包括：

至少两次反应阶段，所述反应阶段包括反应过程和间隙过程；

其中，在所述反应过程中，所述基底处于静止状态；在所述间隙过程中，所述基底处于旋转状态。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述反应过程的时间大于所述间隙过程的时间。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过旋转所述基底，以去除与所述第一区或所述第二区反应的所述显影液。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶包括正胶或负胶。

10.一种光刻图形的制造系统，其特征在于，包括：

旋涂单元，在基底上形成光刻胶；

曝光单元，对所述光刻胶进行曝光处理，以在所述光刻胶上形成第一区和第二区；

显影单元，采用显影液对所述光刻胶进行多次显影处理，以使所述显影液去除所述第一区或所述第二区，以形成所述光刻图形。