[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、家用电器

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

层叠设置的第一金属层、N+型发射极区、P型基区、N型漂移区、N型缓冲区、P+型集电极区和第二金属层；

第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极间隔设置，且贯穿所述N+型发射极区、P型基区和部分所述N型漂移区；

第一虚拟栅极，设置于所述第一栅极远离所述第二栅极的一侧，且与所述第一栅极绝缘；

第二虚拟栅极，设置于所述第二栅极远离所述第一栅极的一侧，且与所述第二栅极绝缘；

其中，所述第一虚拟栅极和所述第二虚拟栅极连接所述第一金属层；

所述第一虚拟栅极靠近所述第二虚拟栅极一侧开设有第一沟槽，所述第一栅极设置于所述第一沟槽内，所述第一虚拟栅极与对应的所述第一栅极呈上、下、侧三面包裹设置；

所述第二虚拟栅极靠近所述第一虚拟栅极一侧开设有第二沟槽，所述第二栅极设置于所述第二沟槽内，所述第二虚拟栅极与对应的所述第二栅极呈上、下、侧三面包裹设置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体器件还设置有连通槽，所述第一虚拟栅极和所述第二虚拟栅极通过所述连通槽与所述第一金属层连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一金属层和所述N+型发射极区之间还设置有金属绝缘层；

所述连通槽包括：

第一连通槽，设置于所述金属绝缘层，所述第一连通槽的一端开口连通所述第一金属层，所述第一连通槽的另一端开口连通所述第一虚拟栅极，所述第一虚拟栅极和所述第一金属层通过所述第一连通槽连接；

第二连通槽，设置于所述金属绝缘层，所述第二连通槽的一端开口连通所述第一金属层，所述第二连通槽的另一端开口连通所述第二虚拟栅极，所述第二虚拟栅极和所述第一金属层通过所述第二连通槽连接。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一栅极和所述第一虚拟栅极周围设置有第一栅极绝缘层，所述第二栅极和所述第二虚拟栅极周围设置有第二栅极绝缘层；

所述连通槽包括：

第三连通槽，设置于所述第一栅极绝缘层，所述第三连通槽的一端开口连通所述N+型发射极区，所述第三连通槽的另一端开口连通所述第一虚拟栅极，所述第一虚拟栅极和所述第一金属层通过所述第三连通槽连接；

第四连通槽，设置于所述第二栅极绝缘层，所述第四连通槽的一端开口连通所述N+型发射极区，所述第四连通槽的另一端开口连通所述第二虚拟栅极，所述第二虚拟栅极和所述第一金属层通过所述第四连通槽连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体器件还包括电子存储层，所述电子存储层设置于所述N型漂移区和所述P型基区之间，用于俘获空穴。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述电子存储层包括：

第一电子存储层，所述第一栅极和所述第一虚拟栅极周围设置有第一栅极绝缘层，所述第一电子存储层包裹设置于所述第一栅极绝缘层且对应所述N型漂移区的区域；

第二电子存储层，所述第二栅极和所述第二虚拟栅极周围设置有第二栅极绝缘层，所述第二电子存储层包裹设置于所述第二栅极绝缘层且对应所述N型漂移区的区域。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述电子存储层为N+型电子存储层。