[发明专利]微芯片的巨量转移方法及显示背板

权利要求书

1.一种微芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括：

在转移基板上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成多个相互独立的凹槽，所述多个凹槽与暂态基板上待转移的多个微芯片一一对应，且所述凹槽的底部与所述转移基板相通；

形成将所述牺牲层覆盖的粘附胶层，所述粘附胶层填充满各所述凹槽并与所述转移基板形成粘接；

将所述暂态基板上待转移的多个微芯片与所述粘附胶层贴合，贴合后，位于所述粘附胶层上的所述多个微芯片与所述多个凹槽一一对应；

将所述微芯片与所述暂态基板分离；

将相邻所述微芯片之间的所述粘附胶层做隔断处理，使得相邻所述微芯片之间的所述粘附胶层相互分离；

将所述牺牲层去除，位于各所述凹槽内的所述粘附胶层形成为将各所述微芯片支撑于所述转移基板上的支撑体；

对待拾取的所述微芯片对应的所述支撑体施加外力，使该支撑体与所述转移基板分离，以将该支撑体上的微芯片从所述转移基板上拾取，并转移至目标区域。

2.如权利要求1所述的微芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述牺牲层为磷化铟层。

3.如权利要求1或2所述的微芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述在所述牺牲层上形成多个相互独立的凹槽包括：

在所述牺牲层上形成掩膜层，所述牺牲层上待形成所述凹槽的区域裸露于所述掩膜层外；

利用目标溶液将裸露于所述掩膜层外的所述牺牲层蚀刻掉，形成所述凹槽，所述目标溶液不腐蚀所述转移基板和所述掩膜层；

去除所述掩膜层。

4.如权利要求1或2所述的微芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述将所述牺牲层去除包括：

利用目标溶液将所述牺牲层全部蚀刻掉，所述目标溶液不腐蚀所述转移基板和所述粘附胶层。

5.如权利要求1或2所述的微芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述对待拾取的所述微芯片对应的所述支撑体施加外力，使该支撑体与所述转移基板分离包括：

对待拾取的所述微芯片对应的所述支撑体施加外力，使该支撑体断裂从而与所述转移基板分离。

6.如权利要求5所述的微芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述对待拾取的所述微芯片对应的所述支撑体施加外力，使该支撑体断裂从而与所述转移基板分离包括：

对待拾取的所述微芯片对应的所述支撑体施加朝向所述转移基板的压力，使该支撑体断裂从而与所述转移基板分离。

7.如权利要求1或2所述的微芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述对待拾取的所述微芯片对应的所述支撑体施加外力，使该支撑体与所述转移基板分离包括：

对待拾取的所述微芯片对应的所述支撑体施加远离所述转移基板方向的拉力，使该支撑体与所述转移基板分离；所述微芯片与所述粘附胶层之间的粘附力，大于所述支撑体与所述转移基板之间的粘附力。

8.如权利要求1或2所述的微芯片的巨量转移方法，其特征在于，将所述支撑体上的微芯片从所述转移基板上拾取后，转移至目标区域之前，还包括：

去除粘附在所述微芯片上的所述粘附胶层。

9.如权利要求8所述的微芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述粘附胶层为光刻胶层：

所述去除粘附在所述微芯片上的所述粘附胶层包括：

通过光刻胶清洗液将所述粘附胶层去除。

10.一种显示背板，特征在于，所述显示背板上设置有多个固晶区；所述显示背板还包括多颗微型LED芯片，所述多颗微型LED芯片通过如权利要求1-9任一项所述的微芯片的巨量转移方法，转移至所述固晶区上完成键合。