[发明专利]低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法

权利要求书

1.一种低掺N型锑化铟InSb晶体掺杂方法，其特征在于，包括：

获取高纯度的InSb锭条，并选取所述InSb锭条中导电类型为N型且载流子浓度低于掺杂后目标晶体要求浓度的部分作为原料；

基于所述掺杂后目标晶体要求浓度，在一部分所述原料中掺入N型元素，以制备规格合金片；

获取目标重量的原料，并根据公式1获取目标重量的规格合金片，

M_H＝C_S×M_S/C_H×K 公式1；

其中，M_H表示规格合金片的重量，M_S表示原料的重量，C_H表示规格合金片的浓度，C_S表示掺杂后目标晶体要求浓度，K表示修正系数；

基于所述目标重量的原料和所述目标重量的规格合金片，制备目标晶体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取高纯度的InSb锭条，包括：

将级别为6N的高纯铟In和级别为6N高纯锑Sb按一定比例合成为InSb材料件；

采用多次区域熔化方法对所述InSb材料件进行提纯，以获得高纯度的InSb锭条。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述掺杂后目标晶体要求浓度，在一部分所述原料中掺入N型元素，以制备规格合金片，包括：

将一部分所述原料腐蚀清洗后放入第一石英坩埚内；

根据所述掺杂后目标晶体要求浓度，按照预设比例向所述石英坩埚内掺入级别为6N的高纯N型元素；

将所述第一石英坩埚放置于单晶炉的生长室内，对所述生长室进行抽真空、充入保护气体，并采用直拉法拉制出合金单晶；

将所述合金单晶切成多个合金片，并测试各个所述合金片的电学参数，获取导电类型要求是N型且合金片的载流子浓度与所述掺杂后目标晶体要求浓度的比值大于预设阈值的候选合金片；

去除所述候选合金片浓度分布不均匀的部分，以获得规格合金片。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设比例为100～50000：1。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设阈值为1000。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标重量的原料和所述目标重量的规格合金片，制备目标晶体，包括：

腐蚀清洗所述目标重量的原料和所述目标重量的规格合金片；

将腐蚀清洗后的所述目标重量的原料和所述目标重量的规格合金片放入第二石英坩埚内；

将所述第二石英坩埚放置于单晶炉的生长室内，对所述生长室进行抽真空、充入保护气体，并采用直拉法拉制出目标晶体。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

设置所述修正系数的初始值为1；

测试所述目标单晶的电参数；

当所述目标单晶的电参数与目标值的差值大于预设偏差时，调整所述修正系数。