[发明专利]包括嵌入式焊接连接结构的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一芯片主体部和设置在凹入所述第一芯片主体部的凹入区域中的第一芯片后凸块；以及

第二半导体芯片，所述第二半导体芯片层叠在所述第一半导体芯片上，并且包括第二芯片主体部和从所述第二芯片主体部突出的第二芯片前凸块，

其中，所述第一芯片后凸块包括下金属层和设置在所述下金属层上的焊接层，

所述第二芯片前凸块接合到所述焊接层，并且

所述第二芯片前凸块被设置成在所述第二芯片前凸块和所述焊接层的接合表面上至少覆盖所述焊接层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

聚合物粘合层，所述聚合物粘合层位于所述第一芯片主体部和所述第二芯片主体部之间，

其中，所述焊接层通过所述第二芯片前凸块和所述第一芯片主体部而与所述聚合物粘合层隔离。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片还包括：

沟槽图案，所述沟槽图案形成在所述凹入区域中；以及

阻挡层，所述阻挡层沿着所述沟槽图案的内表面设置，

其中，所述下金属层设置在所述阻挡层的与所述沟槽图案的底部相对应的部分上，并且

所述焊接层设置在所述下金属层上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

聚合物粘合层，所述聚合物粘合层位于所述第一芯片主体部和所述第二芯片主体部之间，

其中，所述焊接层通过所述第二芯片前凸块、所述第一芯片主体部和所述阻挡层中的至少一者与所述聚合物粘合层隔离。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述第一半导体芯片包括第一芯片通孔，并且所述第二半导体芯片包括第二芯片通孔，

其中，所述第一芯片通孔穿透所述第一芯片主体部以电连接到所述第一芯片后凸块，并且

所述第二芯片通孔穿透所述第二芯片主体部以电连接到所述第二芯片前凸块。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括第一芯片钝化层，所述第一芯片钝化层设置在所述第一芯片主体部中并且围绕所述第一芯片后凸块，

其中，所述第一芯片钝化层包括无机材料。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，该半导体封装还包括围绕所述第二芯片前凸块的聚合物粘合层，

其中，所述第二芯片前凸块和所述焊接层的接合表面与所述聚合物粘合层和所述第一芯片钝化层的接合表面是相同的平面。

8.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述第一芯片钝化层包括选自氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的任何一者。

9.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述聚合物粘合层包括非导电膜。

10.一种半导体封装，该半导体封装包括：

基部构件；

第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述基部构件上；以及

第二半导体芯片，所述第二半导体芯片设置在所述第一半导体芯片上，

其中，所述第一半导体芯片包括：

第一芯片主体部，所述第一芯片主体部包括前表面和后表面；以及

第一芯片后凸块，所述第一芯片后凸块设置在从所述后表面凹入所述第一芯片主体部的凹入区域中，

其中，所述第二半导体芯片包括：

第二芯片主体部，所述第二芯片主体部包括前表面和后表面；以及

第二芯片前凸块，所述第二芯片前凸块从所述第二芯片主体部的所述前表面突出，

其中，所述第一芯片后凸块包括下金属层和设置在所述下金属层上的焊接层，

所述第一半导体芯片的所述焊接层和所述第二半导体芯片的所述第二芯片前凸块彼此接合，并且

所述第二芯片前凸块被设置成在所述第二芯片前凸块和所述焊接层的接合表面上至少覆盖所述焊接层。